APCVD制备SiOx薄膜工艺研究

• 作者: 云娜 佟丽英 康洪亮 高丹
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 常压化学气相沉积 硅烷 膜厚 流量 沉积温度
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 29-33
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文

摘要

简单介绍常压化学气相沉积法(APCVD)制备氧化硅薄膜的基本原理和工艺.通过调整不同的沉积温度、硅烷流量、稀释氮气流量、分离氮气流量、皮带带速等工艺参数,对所沉积的氧化硅薄膜的厚度及沉积效率进行了分析研究.发现随着硅烷流量或浓度的增加,薄膜厚度增加;SiOx的膜厚与化学输入不成正比;最大沉积厚度的O2:SiH4比与硅烷流量无关;薄膜厚度随带速的增加而减小,薄膜厚度与带速并不成正比,相同工艺温度和硅烷输入下薄膜厚度与带速的乘积是一个常数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	佟丽英		19	22	3.0	3.0
2	云娜		4	5	1.0	2.0
3	高丹		7	4	1.0	2.0
4	康洪亮		5	2	1.0	1.0