退火温度对AZTO薄膜晶体管电学特性的影响

• 作者: 左欢欢 王超 杨帆
• 来源期刊: 吉林建筑大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铝锌锡氧化物(AZTO) 薄膜晶体管(TFT) 退火温度
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 信息科技
• 页码范围: 73-76
• 页数: 4页
• 分类号: TN321.5
• 语种: 中文

摘要

通过使用射频磁控溅射技术在硅衬底上沉积铝锌锡氧化物(AZTO)薄膜,然后将制备的薄膜放入不同温度下进行退火,再制备成AZTO薄膜晶体管(TFT)器件,研究不同退火温度对AZTO薄膜晶体管器件性能的影响.实验结果表明,随着退火温度的升高,AZTO-TFT器件的载流子迁移率和电流开关比随之增大,在600℃的温度条件下退火的器件性能最佳,其迁移率为10 cm2/(V ? s),阈值电压为13 V,电流开关比为6.29 × 106.