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低能二次电子对微波输能窗击穿现象的影响
低能二次电子对微波输能窗击穿现象的影响
作者:
倪鑫荣
张雪
王滔
蔡成林
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
输能窗
速调管
低能电子
次级电子倍增效应
射频击穿
摘要:
在微波输能窗次级电子倍增效应的模拟研究中,往往忽视低能电子的作用.基于Monte Carlo算法,模拟输能窗次级电子倍增规律,研究了经典的Vaughan模型、Vincent模型和Rice模型三种二次电子发射模型下次级电子倍增效应的差异,通过拟合倍增敏感曲线,获得了低能电子对切向和法向电场作用下输能窗次级电子倍增效应的影响.模拟结果表明,当切向电场作用时,三个发射模型得到的敏感曲线几乎重合,低能电子对敏感曲线的影响甚微,其中Rice模型的敏感区域最大.当法向电场作用时,由Vincent模型拟合得到的敏感区域远大于其他两个模型.
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篇名
低能二次电子对微波输能窗击穿现象的影响
来源期刊
强激光与粒子束
学科
工学
关键词
输能窗
速调管
低能电子
次级电子倍增效应
射频击穿
年,卷(期)
2020,(10)
所属期刊栏目
速调管放大器专题
研究方向
页码范围
49-54
页数
6页
分类号
TM21
字数
语种
中文
DOI
10.11884/HPLPB202032.200170
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低能电子
次级电子倍增效应
射频击穿
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研究来源
研究分支
研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
主办单位:
中国工程物理研究院
中国核学会
四川核学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-4322
CN:
51-1311/O4
开本:
大16开
出版地:
四川绵阳919-805信箱
邮发代号:
62-76
创刊时间:
1989
语种:
chi
出版文献量(篇)
9833
总下载数(次)
7
总被引数(次)
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