高可靠IGBT器件复合封装方法研究

• 作者: 袁凤江
• 来源期刊: 现代信息科技
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 复合封装 分层 可靠性
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: 电子工程
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 2393字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19850/j.cnki.2096-4706.2020.07.010

摘要

为减少IGBT器件的击穿失效等问题,该文提出了一种复合封装IGBT芯片的方法,能够有效防止集电极和发射极过压/过流引起的失效问题;并针对复合封装芯片的可靠性问题,在框架上增加裙边和凹槽,采用抽真空塑封方式,克服了分层现象,通过了热阻检测和可靠性试验,该封装方法具有良好的应用前景和研究价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁凤江		2	0	0.0	0.0