VDMOS器件参数及IDSS失效问题研究

• 作者: 刘国梁 姚雪霞 曹婷 李明
• 来源期刊: 现代信息科技
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS IDSS DS漏电 DS短路
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 电子工程
• 页码范围: 27-30
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1922字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19850/j.cnki.2096-4706.2020.06.010

摘要

功率VDMOS就是垂直导电的双扩散结构器件,功率VDMOS克服了其他MOS的各种缺点,是在功率集成工艺基础上发展起来的新一代电子器件.IDSS是衡量VDMOS器件性能的一个重要参数,同时,影响VDMOS产品良率的各个参数,也是一个难以解决的问题.从VDMOS器件结构及工艺入手,对参数失效原因做了较全面的分析,总结了VDMOS器件参数失效的因素及对应的工艺控制难点.以供VDMOS工作者以及相关技术人员参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹婷		2	0	0.0	0.0
2	姚雪霞		2	0	0.0	0.0
3	李明		2	0	0.0	0.0
4	刘国梁		1	0	0.0	0.0