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摘要:
室温下通过磁控溅射的方式在热氧化SiO2的衬底上沉积MgZnO薄膜,研究Mg元素的少量掺杂对薄膜以及器件性能的影响,使用湿法刻蚀的方法制备了MSM结构的器件。器件开关比3.66×106,在入射波长为365nm、254nm的光照下响应度分别达到了3.16A/W、7.74A/W.光暗电流比在101~104之间。通过紫外光分度计测试出薄膜在可见光区域透过率达到90%以上,光学带隙为3.28eV。
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 MgZnO薄膜晶体管在紫外探测中的特性研究
来源期刊 电脑知识与技术:学术版 学科 教育
关键词 MgZnO薄膜晶体管 MgZnO薄膜 MSM结构 响应度 光暗电流比
年,卷(期) 2020,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 252-254
页数 3页 分类号 G642
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高晓红 吉林建筑大学电气与计算机学院 34 266 4.0 16.0
2 吴昀卓 吉林建筑大学电气与计算机学院 4 0 0.0 0.0
3 秦大双 吉林建筑大学电气与计算机学院 4 0 0.0 0.0
4 曾一明 吉林建筑大学电气与计算机学院 4 0 0.0 0.0
5 张耕严 吉林建筑大学电气与计算机学院 4 0 0.0 0.0
6 岳廷峰 吉林建筑大学电气与计算机学院 4 0 0.0 0.0
7 刘建文 吉林建筑大学电气与计算机学院 4 0 0.0 0.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
MgZnO薄膜晶体管
MgZnO薄膜
MSM结构
响应度
光暗电流比
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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期刊影响力
电脑知识与技术:学术版
旬刊
1009-3044
34-1205/TP
安徽合肥市濉溪路333号
26-188
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