退火处理对MgZnO薄膜性能的影响

• 作者: 刘建文 吴昀卓 岳廷峰 张耕严 曾一明 秦大双 高晓红
• 来源期刊: 电脑知识与技术:学术版
• 学科: 工学
• 关键词: MgZnO薄膜晶体管 退火处理 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 页码范围: 250-252
• 页数: 3页
• 分类号: TN321

摘要

采用射频磁控溅射的方法在室温下制备了MgZnO薄膜,并将制备的薄膜在200℃、N2下进行退火处理。采用XRD表征薄膜的结晶情况,用AFM表征薄膜材料表明形貌,用EDS表征薄膜材料元素成分与含量,用紫外可见分光光度计测试薄膜透过率。结果表明,退火后薄膜结晶程度提高,晶粒尺寸变大,均方根粗糙度(RMS)降低,Mg元素原子百分比有所增加,可见光区域平均透过率为96%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高晓红	吉林建筑大学电气与计算机学院	34	266	4.0	16.0
2	吴昀卓	吉林建筑大学电气与计算机学院	4	0	0.0	0.0
3	秦大双	吉林建筑大学电气与计算机学院	4	0	0.0	0.0
4	曾一明	吉林建筑大学电气与计算机学院	4	0	0.0	0.0
5	张耕严	吉林建筑大学电气与计算机学院	4	0	0.0	0.0
6	岳廷峰	吉林建筑大学电气与计算机学院	4	0	0.0	0.0
7	刘建文	吉林建筑大学电气与计算机学院	4	0	0.0	0.0