具有多场限环终端的PiN二极管反向击穿的研究

• 作者: 刘晓忠 汪再兴 孙霞霞 郑丽君 高金辉
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: PiN二极管 场限环 击穿电压 结深 漂移区掺杂浓度 电场分布
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 119-123,149
• 页数: 6页
• 分类号: TN312.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1632

摘要

场限环终端结构可以有效提高击穿电压,因而被广泛应用于半导体功率器件.场限环中多个参数都影响PiN二极管主结的击穿能力.本文基于数值模拟软件建立PiN二极管的场限环终端仿真模型,并设计十道场限环作为终端结构.分别仿真场限环结深和漂移区掺杂浓度与主结的击穿电压的关系,得到结深和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系曲线.当漂移区掺杂浓度一定时,PiN二极管主结击穿电压随结深的增大而增大;当结深保持不变时,PiN二极管主结击穿电压随漂移区掺杂浓度的增大而减小.随后提取击穿时的电场分布,并分别从结表面和结曲面的峰值电场、电场分布均匀度两个方面分析击穿原理.