AlN单晶衬底的制备及研究进展

• 作者: 齐志华
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 关键词: 氮化铝(AlN) 物理气相传输法(PVT) 氢化物气相外延法(HVPE) 基本元素气相沉积法(EVPE)
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望|Trend&Outlook
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.05
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2021.03.001

摘要

氮化铝(AlN)作为直接带隙半导体且禁带宽度为6.2 eV,使其在深紫外光电子器件(如半导体激光器、日盲光探测器等)、高频大功率射频器件等领域具有广泛的应用前景,而高性能器件的实现需要高质量AlN衬底作为基础.对AlN材料的基本性质进行了阐述,着重对AlN单晶衬底的制备方法进行了介绍:物理气相传输法(PVT)、氢化物气相外延法(HVPE)和基本元素气相沉积法(EVPE),并对AlN材料在光学、电学、化学、磁学领域的应用进行了展望.