基于耦合机制的AlN晶体生长速率模型

• 作者: 郭森 张丽
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 关键词: AlN晶体 计算机模拟 耦合机制 生长速率 工艺参数
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制|Research & Development
• 页码范围: 553-558
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.23|TN304.02
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0120

摘要

在耦合传热和物质传输两种机制的基础上建立了物理气相传输法AlN晶体生长速率模型.当生长压力为30,60,90 kPa时,生长速率模型计算结果和实验结果的偏差值均在20μm/h以内.尤其是当压力为60 kPa时,偏差值为-8μm/h.在此基础上进一步计算了不同工艺参数对生长速率和生长表面形状的影响.结果表明,随着生长压力的增高和籽晶温度的降低,晶体的生长速率越小,晶体生长表面的形状越平.增加多晶源-籽晶的温差可以提高生长速率,而对生长表面形状的影响较小.该生长速率模型的建立可以有效地指导较大生长速率和微凸生长表面的AlN晶体生长,对高结晶质量AlN晶体生长具有重要意义.