高离化率电-磁场协同增强HiPIMS高速沉积特性

• 作者: 李春伟 田修波 姜雪松 徐淑艳
• 来源期刊: 哈尔滨工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高功率脉冲磁控溅射 钒膜 离化率 沉积速率 基体离子电流密度
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 页码范围: 84-92
• 页数: 9页
• 分类号: TG174.444
• 语种: 中文
• DOI: 10.11918/202003040

摘要

为了使高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)技术在保持高离化率的条件下实现HiPIMS高速沉积过程,采用电场与磁场双外场协同作用改善HiPIMS放电与沉积特性.研究了电-磁场协同增强HiPIMS((E-MF)HiPIMS)和常规HiPIMS制备钒膜时的基体离子电流密度、发射光谱、钒膜表面形貌及表面粗糙度、截面形貌及沉积速率等,并探讨了(E-MF)HiPIMS模式的放电机理.研究表明:与HiPIMS相比,钒靶(E-MF)HiPIMS放电时的平板工件基体离子电流密度峰值增加了6倍,铜靶(E-MF)HiP-IMS放电时的筒状工件基体离子电流密度峰值增加了13倍.(E-MF)HiPIMS放电时的Ar0谱线、Ar+谱线、V0谱线和V+谱线强度均显著增强,氩和钒的粒子离化率增加.(E-MF)HiPIMS制备的钒膜由V(111)和V(211)组成.(E-MF)HiPIMS制备的钒膜表面更加光滑平整且表面粗糙度由15.0 nm减小为9.6 nm;钒膜生长结构更加致密且沉积速率增加了约30％,而筒状工件转动条件下(E-MF)HiPIMS制备的铜膜的沉积速率增加了约50％.(E-MF)HiPIMS是一种高离化率高沉积速率的新型放电模式,该方法可有效规避常规HiPIMS较低沉积速率的技术缺陷.