基于二维层状GaSe纳米片忆阻器阻变特性研究

• 作者: 廖康宏 康雨薇 雷沛先 汤越月 接文静
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 关键词: 二维材料 硒化镓 忆阻器 非易失性 阻变
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制|Research & Development
• 页码范围: 323-327
• 页数: 5页
• 分类号: O472
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1838

摘要

忆阻器由于其非易失性、低功耗、擦写速度快等优点,在存储器、逻辑器件和计算等领域具有广阔的应用前景.另一方面,二维材料由于二维层状的结构和优异的电学性能被广泛应用于忆阻器.其中,硒化镓是Ⅲ-Ⅵ主族的层状半导体材料,具有高载流子迁移率、非线性光学特性和优异的光响应等特性,为研究新型电子器件提供了可能性.本文通过机械剥离法获得二维层状硒化镓纳米薄片,并以Cu作电极制备了具有平面结构基于二维硒化镓的两端阻变存储器件,实现了高达104的开关比.保留特性曲线表明器件可以在6600 s的时间范围内保持高的开关比.此外,随着测试时间的推移,器件的开关比有增大的趋势,显示了良好的稳定性.该研究为二维硒化镓在非易失性储存器件的进一步应用提供了前期基础.