深亚微米SOI工艺ESD防护器件设计

• 作者: 米丹 周昕杰 周晓彬 何正辉 卢嘉昊
• 来源期刊: 电子与封装
• 关键词: 深亚微米 SOI工艺 自加热效应 ESD防护器件 栅控二极管
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性|Microelectronics Fabrication & Reliability
• 页码范围: 56-62
• 页数: 7页
• 分类号: TN406
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0509

摘要

在集成电路设计领域,绝缘体上硅(SOI)工艺以其较小的寄生效应、更快的速度,得到广泛应用.但由于SOI工艺器件的结构特点及自加热效应(SHE)的影响,其静电放电(ESD)防护器件设计成为一大技术难点.当工艺进入深亚微米技术节点,基于部分耗尽型SOI(PD-SOI)工艺的ESD防护器件设计尤为困难.为了提高深亚微米SOI工艺电路的可靠性,开展了分析研究.结合SOI工艺器件的结构特点,针对性地进行了 ESD防护器件选择,合理设计了器件尺寸参数,并优化设计了器件版图.使用该设计的一款数字电路,通过了 4.5 kV人体模型(HBM)的ESD测试.该设计有效解决了深亚微米SOI工艺ESD防护器件稳健性弱的问题.