Pb1-xSmxZr0.52Ti0.48O3压电陶瓷的结构与电学性能

• 作者: 李向东 张军 任奕菲 肖建中 吕根品
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 关键词: 压电陶瓷 PZT 水热合成 掺杂 电学性能
• 年，卷（期）: 2021,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制|Research & Development
• 页码范围: 643-648
• 页数: 6页
• 分类号: TM282
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0230

摘要

采用水热合成法制备Pb1-xSmxZr0.52Ti0.48O3(PSxZT,x=0.00,0.01,0.02,0.03,0.04、0.05)粉体,并在1200,1240,1280及1320℃烧结得到不同微观结构的PSx ZT陶瓷,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)对PSx ZT陶瓷的物相组成及微观结构进行表征.通过测试PSx ZT陶瓷的致密度、压电常数(d33)、相对介电常数(εr)及介质损耗(tanδ),研究Sm3+掺杂及烧结温度对PSx ZT陶瓷物相组成、微观结构、压电及介电性能的影响.结果表明:通过水热合成法可以制备出四方相钙钛矿结构的PSx ZT粉体;当烧结温度为1280℃,x=0.02时,PSx ZT陶瓷具有最优综合电学性能:d33=232 pC/N,εr=735,tanδ=0.18.