Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/SrRuO3铁电隧穿结的制备与性能研究

• 作者: 刘小辉 房丽彬 朱俊 郑林辉
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: PZT铁电材料 铁电隧穿结 脉冲激光沉积 隧穿电阻效应 铁电极化
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2486字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.08.004

摘要

采用脉冲激光沉积法(PLD)在(001) SrTiO3基片上制备了基于Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/SrRuO3(PZT/SRO)的铁电隧穿结.利用多种表征手段测试并分析薄膜微观结构及电性能.结果表明:PZT和SRO薄膜具有良好的取向结晶性,实现了薄膜的外延生长.8 nm PZT薄膜具有稳定的铁电性能,在外电场为7 500×103V·cm-1时,其剩余极化(2Pr)为3.79×10-6C·cm-2,矫顽场(2Ec)为4 300×103V·cm-1.室温条件下,隧穿结经±7 500× 103V·cm-1电场极化后具有明显的隧穿电阻(TER)效应,室温下TER最高可达约126.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	34	102	5.0	6.0
2	郑林辉	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	5	2.0	2.0
3	刘小辉	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	5	2.0	2.0
4	房丽彬	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	5	2.0	2.0