GaAs(100)上外延Pb(Zr0.52 Ti0.48)O3(101)铁电薄膜的制备与性能研究

• 作者: 刘兴鹏 周云霞 朱俊 李争刚
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 激光分子束外延 外延PZT GaAs衬底 SrTiO3(STO)/TiO2缓冲层 铁电性能 光伏性能
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 40-44
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1|O484.4+1
• 字数: 2806字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.08.008

摘要

采用激光分子束外延技术,在GaAs(100)衬底上,利用SrTiO3(STO)/TiO2复合缓冲层生长外延Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜.TiO2/STO复合缓冲层的引入用来减小晶格失配和界面互扩散,达到提高外延PZT铁电薄膜的结晶质量和电学性能的目的.TiO2和STO的生长通过原位反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控.该异质结构的面外外延关系为PZT(101)//STO(110)//TiO2(110)//GaAs(100).PZT/STO/TiO2/GaAs异质结构在电场为-250×103 V/cm时漏电流密度低于1×10-6 A/cm2,剩余极化强度(2Pr)高达24×10-6 C/cm2.此外,在模拟太阳光(AM 1.5G)照明下,这种异质结构通过剩余极化增强的光电转换效率为10.01％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	34	102	5.0	6.0
2	刘兴鹏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	2	1.0	1.0
3	李争刚	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	周云霞	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	0	0.0	0.0