溅射气压对氧化镓薄膜光学特性的影响

• 作者: 张芮馨 孙辉 程佳 刘子童 陈建金 沈龙海
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: Ga2O3薄膜 射频磁控溅射 晶体结构 光学带隙 光致发光
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 875-878
• 页数: 4页
• 分类号: O471.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2021100201

摘要

采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备了氧化镓(Ga2O3)薄膜.利用X射线衍射仪和紫外-可见-红外分光光度计分别对Ga2O3薄膜的晶体结构和光学带隙进行了表征,并在室温下测量了 Ga2O3薄膜的光致发光(PL)谱.结果表明:制备的Ga2O3薄膜呈非晶态.吸收边随着溅射气压的增加先蓝移后红移,光学带隙值范围为5.06～5.37 eV,溅射气压为1 Pa时,制备的Ga2O3薄膜具有最大的光学带隙.在325 nm激光激发下,400 nm附近和525 nm附近处出现与缺陷能级相关的发光峰.