寄生电感对SiC MOSFET开关损耗测量的影响

• 作者: 李欣宜 王泽峰 邵帅 张军明
• 来源期刊: 电力电子技术
• 关键词: 寄生电感 开关损耗 金属氧化物半导体场效应管
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 器件与测试及其他|DEVICE AND TESTING & OTHERS
• 页码范围: 141-145
• 页数: 5页
• 分类号: TM55
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2021.06.038

摘要

双脉冲测试是评估器件动态特性的重要手段.测试电路的寄生参数将对测试结果产生直接影响.基于双脉冲测试平台,研究并评估寄生电感对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)开关损耗测量的影响.首先,用低感电阻替换测试电路中的续流二极管,通过对母线电容放电状态下的电压和电流波形进行高阶多项式拟合,计算得到双脉冲测试电路主回路的寄生参数.其次,通过调整主回路跳线接口处的空心小电感感值,获得不同主回路寄生电感值的双脉冲测试电路.最后,对比分析了不同电压电流测试条件下寄生电感对开关损耗测量的影响.研究结果表明:随着主回路寄生电感的增大,在开通阶段漏源电压下降变快,开通损耗随之减小;而在关断阶段漏源电压过冲增大,关断损耗随之增大,总开关损耗几乎不变.