基于孪生靶的磁控溅射系统薄膜厚度均匀性的研究

• 作者: 魏博洋 刘冬梅 付秀华 张静 汪洋 耿煜
• 来源期刊: 光学学报
• 关键词: 薄膜 厚度均匀性 磁控溅射 孪生靶 等离子体密度 二进制梯度充气方式 正弦半波
• 年，卷（期）: 2021,（7）
• 所属期刊栏目: 薄膜|Thin Films
• 页码范围: 214-220
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/AOS202141.0731001

摘要

磁控溅射系统中薄膜厚度的均匀性是关键指标之一.通过分析磁场强度、靶材与基板的距离和气体压强对Si3N4和SiO2两种薄膜厚度均匀性的影响,借助Langmuir探针分析等离子体的密度,并采用二进制阶梯式充气方式调整纵向的均匀性.通过对靶材加载正弦半波电压并使用MATLAB软件确定振幅及相位参数,从而调整横向的均匀性.实验结果表明,对于Si3N4膜层,其在横向上、中和下的均匀性分别为±1.27％、±0.62％和±1.33％,纵向的均匀性为±0.33％;对于SiO2膜层,其在横向上、中和下的均匀性分别为±1.12％、±0.42％和±1.23％,纵向的均匀性为±0.25％.