一种结构简单的宽温度范围、高精度CMOS基准源

• 作者: 杨见辉 闫江 孙建民 李宽
• 来源期刊: 智能计算机与应用
• 学科: 工学
• 关键词: 电压基准 低温漂 宽温度范围 亚阈区
• 年，卷（期）: 2021,（10）
• 所属期刊栏目: 科技创见与应用|Scientific achievement and application
• 页码范围: 142-146
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-2163.2021.10.027

摘要

本文采用130 nm MOS工艺,设计了一种简单的CMOS电压基准源.利用基准电流源结构,产生PTAT电流,再通过电流镜技术将此PTAT电流转移到一个以二极管方式连接、工作于亚阈值区状态的NMOS管,在栅源之间得到对温度不敏感的电压VGS.经过Spectre仿真后,在电源电压为2.2 V至2.5 V电压范围内,本文电路均可正常工作;在-40℃～+155℃范围内,基准电压温度系数可低至12.0×10-6/℃;当供电电压为2.3 V时,整个电路的静态功耗和输出电压分别为50 μW和561.5 mV;在10 KHz以内,电源抑制比PSRR的值均小于-53.8 dB,在1 MHz处,电源抑制比PSRR为-44.7 dB.该电路中只包含CMOS管和一个电阻,没有使用电容、三极管等器件,简单稳定,可应用于各种便携式电子设备.