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金属氧化物半导体TFT器件的膜层均一性研究
金属氧化物半导体TFT器件的膜层均一性研究
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摘要：
金属氧化物薄膜晶体管(TFT)具有较好的光电特性,在新型显示器件中应用前景广泛.本论文重点针对金属氧化物TFT器件的IWZO膜层的成膜均一性进行了研究.从磁场、成膜功率、O2分压等工艺参数角度出发,研究了IWZO膜层均一性与成膜工艺参数的关系,并探讨了改善膜层均一性的具体工艺参数和方法.
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期刊影响力
电子世界
主办单位：
中国电子学会
出版周期：
半月刊
ISSN：
1003-0522
CN：
11-2086/TN
开本：
大16开
出版地：
北京市
邮发代号：
2-892
创刊时间：
1979
语种：
chi
出版文献量（篇）
36164
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