退火温度对OSG薄膜性能的影响

• 作者: 王艳蓉 周晓森 曾敏 张静
• 来源期刊: 电子世界
• 年，卷（期）: 2021,（20）
• 所属期刊栏目: 探索与观察
• 页码范围: 20-21
• 页数: 2页
• 语种: 中文

摘要

随着集成电路特征尺寸的不断微缩,互连介质层性能成为限制集成电路发展的关键参数之一.长久以来研究人员近几年探索具有更低介电常数(k)且具有优异机械性能的介质材料成为研究热点之一.而纳米多孔有机硅酸盐玻璃(OSG)与SiO2结构相近且与传统CMOS工艺兼容而广受关注,但对其工艺性能优化方法尚不明确,需要更深入的探索研究.本研究针对退火温度对OSG薄膜的性能影响开展研究,研究分析了退火温度对OSG薄膜的化学组分,机械强度,薄膜厚度,疏水性及介电常数等性能的影响.