抛光液组分对3D微同轴中铜和光刻胶化学机械抛光速率选择性的影响

• 作者: 李森 王胜利 李红亮 王辰伟 雷双双 刘启旭
• 来源期刊: 电镀与涂饰
• 学科: 工学
• 关键词: 三维微同轴 铜 光刻胶 化学机械抛光 碱性抛光液 去除速率
• 年，卷（期）: 2022,（7）
• 所属期刊栏目: 电子技术|Electronic Technology
• 页码范围: 486-490
• 页数: 5页
• 分类号: TG175.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.19289/j.1004-227x.2022.07.007

摘要

研究了碱性抛光液的pH、SiO2磨料质量分数、H2O2体积分数和甘氨酸质量分数对3D微同轴加工中铜和光刻胶化学机械抛光(CMP)去除速率的影响,得到较佳的抛光液组成为:SiO25％,H2O220 mL/L,甘氨酸2.5％,pH=10.采用该抛光液时,铜和光刻胶的去除速率非常接近,满足3D微同轴加工对铜和光刻胶CMP去除速率选择性的要求.