Sn调变Cu电子结构改善Cu/CeZrO_2抗硫性能

• 作者: 宋天远 梁美生 李巧艳 杨超 叶翠平
• 来源期刊: 太原理工大学学报
• 关键词: 抗硫性能 密度泛函理论 Cu/CeZrO2 电子结构
• 年，卷（期）: 2023,（1）
• 所属期刊栏目: 化学工程与技术·材料科学与工程
• 页码范围: 39-47
• 页数: 8页
• 分类号: TQ426
• 语种: 中文
• DOI: 10.16355/j.cnki.issn1007-9432tyut.2023.01.005

摘要

为了提高汽车尾气催化剂的抗硫性能，延长催化剂寿命，采用密度泛函理论的方法研究了Sn掺杂Cu/CeZrO_2(110)催化剂的电子结构和SO_2抗硫性能之间的关系。计算结果表明Cu在CeZrO_2(110)表面上最稳定吸附位点是氧桥位，最稳定吸附能为-3.52 eV,此时结构最稳定。通过分析Cu—d带中心、电荷变化、分波态密度(PDOS)和SO_2的吸附能发现，Sn原子掺杂增强了活性组分Cu的正电性和Cu—O之间的相互作用，抑制了SO_2在Cu活性位点上的吸附，从而提高了催化剂的抗硫中毒能力，显著提高了催化剂的催化性能。研究为高性能汽车尾气催化剂的优化设计提供了理论借鉴。