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半导体光电

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Semiconductor Optoelectronics

CA JST SA CSTPCD

影响因子 0.5046

本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。

主办单位：

重庆光电技术研究所

期刊荣誉：

信息产业部优秀电子期刊 重庆市优秀期刊

ISSN：

1001-5868

CN：

50-1092/TN

出版周期：

双月刊

邮编：

400060

地址：

重庆市南坪花园路14号44所内

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年度刊次

1. 硅基波导用楔形模斑变换器的研究进展

作者：付云飞李庆波

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 1-5

摘要：楔形模斑变换器在利用硅基光子集成技术实现芯片间光互连中有着广泛的应用.文章概述了国内外楔形模斑变换器的最新研究进展.介绍了几种新型模斑变换器的结构及制作的工艺流程,并对其性能及影响楔形模斑变...
2. 光纤布里渊分布式温度应变同时传感研究进展

作者：周会娟孙世林孟洲

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 6-11,24

摘要：基于布里渊散射的光纤分布式传感技术可以实现对温度和应变的同时传感,如何解决温度、应变的交叉敏感问题是实现温度应变同时传感的关键.文章详细介绍了已报道的几种常见的实验方案,并对不同方案进行了比...
3. 硅PIN光电探测器阵列的串扰分析

作者：冯世娟冯其曹阳武逶王巍王振白晨旭

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 12-15

摘要：在利用高密度线性阵列探测器成像时,探测阵列单元间的串扰将直接影响器件的成像质量.文章对厚度为100μm的背照式PIN光电探测器线性阵列的电串扰特性进行了分析,通过Silvaco TCAD器件...
4. 掺杂与非掺杂相结合制备有机发光器件

作者：杨惠山

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 16-19,29

摘要：采用掺杂和非掺杂方法制备了一种多层白色有机电致发光器件.DPVBi为蓝光发光层,将红光[Ir(piq)2(acac)]磷光掺杂染料掺入到母体BAlq中作为红光发光层,荧光材料QAD以亚单层的...
5. InGaN绿光LED中p型GaN层的优化设计

作者：周仕忠李国强郝锐马学进马昆旺

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 20-24

摘要： InGaN绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得该结构的稳定性下降.由于量子阱结构生长完成之后的p型GaN的生长温度要远高于量子阱结构生长温度,因此...
6. 高斯变迹FBG在非均匀介质下的数值响应特性研究

作者：曹李华汪颖罗彬彬赵明富

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 25-29

摘要：基于光波导理论和传输矩阵法,研究光纤包层被完全腐蚀后的高斯变迹光纤布拉格光栅(FBG)在非均匀外部介质环境下的反射谱特性.仿真过程中,分别考虑高折射率区(1.43～1.45)和低折射率区(1...
7. 一种四通道贴片式高速光电耦合器

作者：徐道润成精折欧熠肖清惠陈春霞马思华

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 30-33

摘要：研制了一种新型的四通道贴片式高速光电耦合器.介绍了该光电耦合器的结构、工作原理、参数设计、特点和参数曲线,并简述了其制作工艺.设计中采用独立腔体分隔技术,将四条光路完全从物理上分离,彻底杜绝...
8. 求解波导问题FEM线性系统的RIC预条件算法

作者：孙向阳张向前李月卉聂在平

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 34-37,41

摘要：提出了一种新型RIC预条件COCG迭代技术,用于改善有限元法仿真分析光电工程问题所产生的高度非正定的线性系统的迭代求解.提出的RIC预条件子是针对基本IC算法可能出现的分解崩溃问题,通过对主...
9. 镀膜长周期光纤光栅双峰谐振折射率传感特性

作者：杨秀增梁锡铅欧启标谭祖印韦树贡

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 38-41

摘要：基于严格的相位匹配公式,在充分考虑材料色散的基础上,详细研究了镀膜长周期光纤光栅的双峰谐振效应.研究发现,随着环境折射率的变化,发生谐振的双峰也发生变化,且变化趋势相反.给出了镀膜长周期光纤...
10. 光二分路器规格的划定与设计研究

作者：赵长水

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 42-45,51

摘要：通过数学建模,对构建光二分路器规格体系的相关技术参数及其关系做了分析与研究,给出了构建光二分路器规格体系和设计规格表、确定主要技术参数的原则和方法,设计制作了光节点信号电平最大允许改变量△P...
11. 热温差型微流量传感器热敏电阻自热的补偿方法

作者：代富何移周斌官承秋高杨

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 46-51

摘要：分析了热温差型微流量传感器的热敏电阻自热对测量的影响和惠斯通电桥作为前端信号采集电路的不足,提出了相应的解决方法.利用ANSYS软件对热敏电阻自热的各种情况进行了仿真,发现当上下游热敏电阻的...
12. 基于MZI和取样光栅的可调谐光分插复用器

作者：李恒黄勇林

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 52-55

摘要：提出一种基于马赫-曾德尔干涉仪(MZI)和取样光纤布拉格光栅(SFBG)的新型光分插复用器(OADM),它由两个并联马赫-曾德尔干涉仪和四个取样光纤布拉格光栅组成.对该光分插复用器的输出特性...
13. 一种850 nm氧化限制型垂直腔面发射激光器的设计

作者：丁锋张靖王品红田坤赵开梅

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 56-58

摘要：采用PICS3D软件建立了850 nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)的仿真模型,通过优化量子阱有源区的阱和垒的个数、合理选取分布式布拉格反射镜(DBR)的材料以及对数,设计了一种...
14. 氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响

作者：李国强管云芳高芳亮

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 59-61,65

摘要：采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜,在生长之前对其进行不同时间的氮化处理.通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜...
15. 二氧化锡纳米线自催化生长及其发光特性研究

作者：张晓森方香李玉国王宇翟冠楠

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 62-65

摘要：在没有添加任何催化剂情况下,通过热蒸发锡粉制备了二氧化锡纳米线.利用扫描电子显微镜,X射线衍射和透射电镜对上述纳米线进行了结构表征.实验结果表明二氧化锡纳米线直径在100～400 nm,长度...
16. 全自动荧光粉涂覆工艺及设备研究

作者：冷兴龙刘俊标刘杰刘键吴茹菲屈芙蓉

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 66-68

摘要：自行设计并搭建了一套全自动荧光粉涂覆系统.针对涂覆工艺,研究了有无真空搅拌除泡装置对荧光粉涂覆效果的影响,结果发现未经真空搅拌除泡处理的荧光粉涂覆层厚度均匀性较差,且涂覆层中有明显的气泡,气...
17. 三维紧凑型半球凹坑阵列玻璃基在非晶硅薄膜电池中的应用

作者：王庆康钟建平

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 69-73,78

摘要：研究了一种紧密型半球凹坑阵列光子晶体玻璃基,并将其运用在非晶硅薄膜太阳电池结构.用FDTD方法对玻璃基进行了透射衍射场分布计算,用RCWA方法对基于此基底的非晶硅薄膜结构进行仿真优化,得到了...
18. 直流磁控溅射法制备本征ZnO薄膜及光伏应用研究

作者：冯良桓张静全李卫杨志军武莉莉王波黎兵

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 74-78

摘要：采用直流磁控溅射法制备了ZnO薄膜,研究了沉积过程中变换氧分压对薄膜光电性能的影响.采用XRD、紫外可见光分光光度计及AFM等方法对薄膜的结构和光电性质进行了表征.结果表明,ZnO薄膜在可见...
19. ICP腔室压力对AlGaN表面刻蚀损伤的影响

作者：周勋田坤赵文伯龙维刚

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 79-83,87

摘要：对高Al组分AlxGa1-xN(x=50％)进行了ICP刻蚀实验研究,在刻蚀深度相同的前提条件下,对比分析了ICP腔室压力与AlGaN表面损伤之间的相互关系,并讨论了低温热退火对ICP刻蚀损...
20. 太阳电池减反膜的设计

作者：刘文艾盼

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 84-87

摘要：设计良好的减反膜系,提高太阳电池的光电转换效率是太阳电池研制中的一个重要问题.文章从减反膜理论出发,利用计算机软件模拟分析,获得了单层膜、双层膜系反射率百分比与波长的关系,并给出了具体入射波...
21. 低损耗正方晶格微结构光纤的设计

作者：丁春峰杜海龙郑义

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 88-90,118

摘要：应用多极法对正方晶格微结构光纤的损耗特性进行了数值模拟,研究了包层各层空气孔直径和包层空气孔层数在1.31 μm和1.55 μm处对损耗特性的影响.研究发现,通过选择高空气填充率的结构参数可...
22. 基于电子的晶体摆动场辐射及其稳定性

作者：李秀平王善进罗诗裕陈琼

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 91-94

摘要：在经典力学框架内和偶极近似下,引入正弦平方势,把粒子运动方程化为了具有阻尼项和受迫项的摆方程.用Hamiltonian原理和相平面方法讨论了系统的稳定性,并对系统的退道系数、退道长度进行了分...
23. 微量硼掺杂氢化非晶硅薄膜光电导性能研究

作者：王陆一石兵蒋向东

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 95-97

摘要：采用射频磁控溅射的方法制备了微量硼掺杂氢化非晶硅薄膜,对样品的光电导性能进行了研究.结果表明,不同的硼掺杂量下,氢化非晶硅薄膜透过率随掺杂量的增加而变大,透过率曲线截止边红移；吸收系数随着硼...
24. 掺杂Ce4+对溶胶-凝胶法制备二氧化钛薄膜的结构和光催化特性的影响

作者：张洪良张璐李国强谢键

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 98-102

摘要：采用溶胶-凝胶浸渍提拉法分别在氧化硅和石英衬底上制备了Ce4+掺杂的二氧化钛(TiO2)薄膜,在800℃的退火温度下保温30 min.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及紫外-可...
25. FPA探测器微细间隙填充工艺研究

作者：李政王艳董绪丰

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 103-105

摘要：介绍了倒焊器件填充工艺原理,分析了胶水粘度、放置时间、填充温度和填充速度对填充效果的影响.在常温条件下,选用的胶水放置时间不超过1h,填充速度为0.20 mg/min时,FPA(焦平面阵列)...
26. 基于相移光纤光栅的单光源毫米波生成研究

作者：彭丽丹汪仲清

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 106-110

摘要：利用相移光纤光栅中不同的相移量可以在光栅传输阻带中的不同位置打开透射窗口这一特性,给出了用光外差法将单一光源形成两个差频再经拍频后生成毫米波的方案.理论分析和数值计算结果表明,采用单个光源产...
27. 基于SOA互增益调制双折射效应的全光2-4电平编码转换

作者：于清洋刘涛李力王春华

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 111-114

摘要：提出了一种利用半导体光放大器(SOA)的互增益调制(XGM)的双折射效应实现全光2-4电平编码转换的方法.两路2-电平强度调制光信号正交偏振合波后,沿SOA的主轴进入,利用SOA的偏振调制实...
28. 光通信中基于SCG(4,k)码的一类改进LDPC码构造方法

作者：刘文龙王永袁建国谢亚黄胜

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 115-118

摘要：针对SCG(4,k)码构造方法的分析与研究,提出一种适用于光通信系统中改进的新颖低密度奇偶校验(LDPC)码构造方法.该方法在保留SCG(4,k)构造方法的基础上,采用类似于准循环的构造形式...
29. 基于MIMO构架的光OFDM系统研究

作者：于林韬刘泉孟颖石磊

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 119-121

摘要：文章在分析无线正交频分复用(OFDM)技术和单模光纤偏振特性的基础上,研究了一种基于多输入多输出(MIMO)框架的光OFDM系统并搭建了实验平台.系统将两路12 Gb/sOFDM信号通过偏振...
30. 非线性光学格子中二阶孤子的传输特性研究

作者：张景贵李勇帆赵晋琴

刊名：半导体光电

发表期刊： 2013年1期

页码: 122-125

摘要：数值研究了二阶孤子在具有横向折射率周期性调制的Kerr型光学格子中的传输特性,研究结果表明:横向折射率周期性调制会导致二阶孤子裂变成振幅大小不等的两基态孤子.当初始入射角大于某一临界值或调制...

半导体光电基本信息

刊名	半导体光电	主编	江永清
曾用名
主办单位	重庆光电技术研究所	主管单位	中国电子科技集团公司
出版周期	双月刊	语种	chi
ISSN	1001-5868	CN	50-1092/TN
邮编	400060	电子邮箱	soe@163.net
电话	023-62806174	网址	www.semiopto.net
地址	重庆市南坪花园路14号44所内