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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8

半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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  • 31. 用于半导体激光器到单模光纤耦合的圆锥端微透镜设计
    作者： 谢福增 马艳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年11期
    页码:  1355-1359
    摘要： 介绍了一种用于半导体激光器-单模光纤耦合的圆锥端半球透镜的耦合效率的理论计算.失配不存在时,耦合效率随着锥长的增加而减小.失配存在时耦合效率随轴向和角向失配的增大而减小.
  • 32. 对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究
    作者： 任谦 常昕 张国义 方慧智 杨华 杨志坚 章蓓 陆敏 黎子兰
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年11期
    页码:  1376-1380
    摘要： 用Thomas Swan公司的MOCVD系统在蓝宝石(0001)面上生长了高质量的GaN薄膜.采用多种化学腐蚀方法,如熔融KOH,H3PO4与H2SO4混合酸和HCl气相腐蚀法,利用SEM及...
  • 33. 多晶硅、单晶硅同步外延研究
    作者： 李思渊 王永顺 胡冬青
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年11期
    页码:  1381-1385
    摘要： 介绍了多晶硅、单晶硅的同步外延.采用两步外延工艺,研究了硅烷流量、外延时间以及外延温度对外延质量参数α的影响.硅烷流量大、初始诱生时间短,则单晶硅条宽,多晶硅横向蔓延弱,但外延层质量可能较差...
  • 34. 精确时延模型下满足时延约束的缓冲器数目最小化的算法
    作者： 周强 张轶谦 洪先龙 蔡懿慈
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年11期
    页码:  1409-1415
    摘要： 提出了在精确时延模型下,满足时延约束的缓冲器数目最小化的算法.给出一个两端线网,该算法可以求出满足时延约束的最小缓冲器数目.运用高阶时延模型计算互连线的时延,运用基于查找表的非线性时延模型计...
  • 35. Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶
    作者： 刘萍 屈新萍 徐展宏 李炳宗 段鹏 茹国平
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年11期
    页码:  1453-1457
    摘要： 采用Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶SiGe薄膜.通过X射线衍射(XRD)、俄歇电子深度分布谱(AES)等测试方法对获得的多晶SiGe薄膜特性进行了表征,并对退火气氛中氧的存在对非晶...
  • 36. 二种EPAL绝热开关电路
    作者： 谢小平 阮晓声
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年11期
    页码:  1526-1531
    摘要： 研究和设计了两种低功耗的EPAL(efficient PAL)绝热开关电路.这两种电路均采用逐级相位落后90°的四相正弦功率时钟.讨论了EPAL电路的设计方法,并在不同时钟频率和不同的负载条...
  • 37. 静电执行的MEMS多层膜材料参数在线提取方法
    作者： 戎华 李伟华 王建华 聂萌 黄庆安
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年11期
    页码:  1537-1543
    摘要： 基于静电执行结构,结合能量法,推导出不等宽多层两端固支梁在静电作用下发生吸合(pull-in)现象时吸合电压的解析表达式,并用数值方法进行了拟合修正,用Coventorware软件进行的模拟...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

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