对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究

• 作者: 任谦 常昕 张国义 方慧智 杨华 杨志坚 章蓓 陆敏 黎子兰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 腐蚀坑密度 穿透位错
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1376-1380
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 749字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.11.006

摘要

用Thomas Swan公司的MOCVD系统在蓝宝石(0001)面上生长了高质量的GaN薄膜.采用多种化学腐蚀方法,如熔融KOH,H3PO4与H2SO4混合酸和HCl气相腐蚀法,利用SEM及TEM技术对GaN薄膜中的位错进行了研究.SEM显示在GaN薄膜相同位置处,不同腐蚀法所得的腐蚀坑的形态和密度有明显差别.结果表明HCl气相腐蚀可以显示纯螺位错、纯刃位错和混合位错;H3PO4与H2SO4混合酸腐蚀可以显示纯螺位错和混合位错;而熔融KOH腐蚀仅能显示纯螺位错.