半导体学报(英文版)期刊
出版文献量(篇)
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

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影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
出版文献量(篇)
6983
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  • 作者: 任春江 张斌 焦刚 郑维彬 陈堂胜 陈辰
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1027-1030
    摘要: 报道了研制的SiC衬底AIGaN/GaN HEMT微带结构微波功率MMIC,芯片工艺采用凹槽栅场板结构提高AlGaN/GaNHEMTs的微波功率特性.S参数测试结果表明AlGaN/GaN H...
  • 作者: 刘刚 刘梦新 李多力 赵发展 赵超荣 韩郑生
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1036-1039
    摘要: 报道了一种制作在SIMOX晶圆之上的总计量加固的2μm部分耗尽SOI CMOS 3线-8线译码器电路,其辐照特性由晶体管的阚值电压、电路的静态泄漏电流以及电流电压特性曲线表征.实验表明,该译...
  • 作者: 张春 池保勇 王志华 高同强
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1044-1047
    摘要: 针对一种特定的射频识别技术的通讯协议(ISO1800-6B),提出了一种应用于射频识别读写器中的发射机前端结构,以实现发射信号的OOK调制.采用0.18μm CMOS工艺实现的这种高效率、高...
  • 作者: 彭应全 李训栓 杨青森 袁建挺 赵明 邢宏伟 马朝柱
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1075-1080
    摘要: 通过对器件的温度特性的研究,能够使器件在合适的温度下保持稳定的工作状态.本文以Miller-Abrahams跳跃传导理论为基础,建立了有机-有机界面限制电流传导的电荷传输的解析模型.依据此模...
  • 作者: 屈光辉 施卫 王馨梅 田立强
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1108-1110
    摘要: 基于能量守恒原理推导出非线性GaAs光电导开关电路的差分公式,代入实验数据计算出开关的瞬态电压、电阻、功率.该方法解决了长期以来非线性GaAs光电导开关的瞬态特性难于测量的问题.通过GaAs...
  • 作者: 乔庐峰 徐建 王志功 王晓 王欢
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1117-1121
    摘要: 设计并实现了一种适用于DC-10Mb/s速率、兼容TTL和CMOS输入电平的激光器驱动电路.该电路通过片外电阻可以独立地设置激光器发送光脉冲的'1'功率和'0'功率,并以闭环方式实现稳定的'...
  • 作者: 吕宪义 孙大智 李明吉 杨保和 金曾孙
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1152-1155
    摘要: 采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD),在含氮气氛中制备出金刚石膜,利用SEM、Raman光谱、EPR测试手段研究了氮气对金刚石膜品质的影响及氮掺杂特性.结果表明,在950℃基片温度下,...
  • 作者: 吴春亚 孟志国 李阳 熊绍珍
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1172-1176
    摘要: 溶液法金属诱导晶化(S-MIC)的p型掺杂多晶硅薄膜,具有较好的电学特性和近似半透半反的光学特性,可作为透、反两用功能液晶显示器件(LCD)的像素电极材料.但MIC多晶硅薄膜的透射与反射在红...
  • 作者: 叶强 李演明 来新泉 王红义 袁冰 贾新章
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1198-1203
    摘要: 提出了一种新颖的DC-DC环路控制结构.轻负载时芯片自动进入省电模式,通过检测反馈电压使其在待机状态与固定峰值状态切换工作,平均静态功耗以及开关功耗大大减小,提高了轻负载效率,延长了便携应用...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
2. 全国优秀期刊三等奖(92)
3. 全国优秀期刊三等奖(97)

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