电源学报期刊
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电源学报

Journal of power supply
曾用名: 电源技术学报(2002-2010)

CSCDJST北大核心

影响因子 0.6232
主办单位:
中国电源学会国家海洋技术中心
ISSN:
2095-2805
CN:
12-1420/TM
出版周期:
双月刊
邮编:
300110
地址:
天津市南开区黄河道467号大通大厦16层
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  • 作者: 奥琳芳 李山 肖蕙蕙 郭强
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年3期
    页码:  133-141
    摘要: 三相电流源型整流器CSR(current source rectifier)作为恒压源输出时,直流侧并联大电容,使系统建模复杂度及控制难度大大增加,针对这一问题,将d轴定向于交流侧电容电压,...
  • 作者: 伍家驹 冯上贤 周叶 陈亮亮
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年3期
    页码:  142-150
    摘要: 当整流电路所带负载为蓄电池时,其电路工作状况和无功功率计量均与纯阻负载有所不同.为此,提出一种单相相控整流电路带反电势负载的无功功率图解法,通过网侧电压、电流和对应磁通波形绘制三维Lissa...
  • 作者: 吕斌 李少峰 程启明 郭凯军 郭碧翔
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年3期
    页码:  151-159
    摘要: 由于矩阵变换器的电压利用率较低,严重限制了其在并网变换器等方面的应用,故将准Z源网络引入到矩阵变换器中,并提出新型直通状态插入方式,从而提高了电压利用率和抗干扰能力等.首先,分析准Z源直接矩...
  • 作者: 刘艺涛 江师齐 潘学伟 金典恒
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年3期
    页码:  160-167
    摘要: 随着半导体材料技术的不断发展,应用在逆变器系统中的电力开关管的开关频率可以达到十几、几十乃至几百kHz,从而在开关管处产生很大的di/dt和du/dt,因此与逆变系统各部分之间或者系统与地之...
  • 作者: 原琳 程海军 赵凤贤
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年3期
    页码:  168-174
    摘要: 光伏PV(photovoltaic)阵列在实际应用中常存在遮挡现象,与光照均匀时的单峰特性不同,遮挡情况下的PV输出曲线呈多峰特性,常规的最大功率点跟踪方法大多寻找到第1个峰值点即停止搜索,...
  • 作者: 姚芳 张楠 黄凯
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年3期
    页码:  175-183
    摘要: 随着锂离子电池的广泛应用,其健康管理和寿命评估成为很多领域的挑战和热点问题.准确的电池状态估算与剩余使用寿命预测能让用户及时获取电池信息并更新失效电池,保障整个电池组的安全高效运行.为此,针...
  • 作者: 张洪信 徐方超 赵清海 霍炜 黄福闯
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年3期
    页码:  184-190
    摘要: 为了分析软碳负极材料锂电池用作储能电池的优势,首先利用电化学工作站对单体电池基本动态性能进行实验测试,然后利用集装箱储能系统对储能电站工作特性进行实验测试.实验结果表明,单体电池在3C放电时...
  • 作者: 朱淼 朱航 蔡旭 黄阮明
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年3期
    页码:  191-201
    摘要: PSS/E作为广泛应用且功能强大的电力系统专业仿真分析软件,在模型仿真研究中具有巨大优势.但PSS/E的暂态模型在对风电机组的低电压穿越描述中存在缺陷,致使PSS/E环境下的风电建模仿真无法...
  • 作者: 宁圃奇
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  1-3
    摘要: 近20年来,以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体功率器件具有电气性能和热性能等方面的优势,正在成为硅器件的强力替代品.业界成功研制出SiC MOSFET、GaN HEMT等先进器件,已在能源...
  • 作者: 杨成樾 白云 陈宏 韩忠霖
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  4-9
    摘要: 碳化硅MOSFETs开关速率快,耐压高,在逆变器应用领域前景广阔.平面栅MOSFETs因其成熟的工艺是最先被商业化的器件.在平面栅MOSFETs的设计中,降低导通电阻和提高芯片的电流密度是重...
  • 作者: 李诚瞻 白云 陈喜明 陈宏
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  10-14
    摘要: 碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件因其卓越的材料性能,表现出巨大的应用前景,其中金属-氧化物-场效应晶体管MOSFET(metal oxide semiconductor...
  • 作者: 冯志红 梁陪阶 梅云辉 闫海东
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  15-23
    摘要: 无压低温银烧结技术是高功率密度SiC器件的无铅化关键互连技术,对SiC功率模块的可靠性提升具有重要的意义.针对典型Si基功率模块封装连接工艺及其可靠性,阐述了当前无压低温纳米银烧封装技术的进...
  • 作者: 张雅静 李建国 童亦斌 罗欣儿
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  24-27
    摘要: 与传统硅基器件相比,氮化镓GaN(gallium nitride)功率器件具有更快的开关速度,更小的开关损耗并且无反向恢复损耗,这使得氮化镓器件在高频和高功率密度应用场合具有突出优势.高频工...
  • 作者: 俞恒裕 江希 王俊 陈建军
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  28-37
    摘要: 功率半导体器件结温是反映器件健康状态的关键指标.目前被认为具有前景的在线实时结温提取方案是基于器件本身的温度敏感电参数TSEPs(temperature sensitive electric...
  • 作者: 余玮宸 宁圃奇 曹瀚 柴晓光 温旭辉
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  38-44
    摘要: 提出了一种简洁、新颖的SiC MOSFET器件导通电阻模型,该模型采用遗传算法对其不同温度下的导通电阻进行准确描述.相比于传统的导通电阻建模方案,采用进化算法可以准确地得到MOSFET导通电...
  • 作者: 何国林 刘忠永 李琦 章回炫 范涛 边元均
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  45-52
    摘要: 在新能源汽车行业的发展过程中,新型半导体SiC的应用为电机控制器功率密度的提升带来了可能性.为进一步提升系统的功率密度和控制性能,研究了一种基于DSP的软件旋变-数字变换器RDC(resol...
  • 作者: 张雅静 李建国 李艳 王久和 郑琼林
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  53-57
    摘要: 提出了一种适用于高频场合下氮化镓GaN(gallium nitride)功率器件的过流保护电路.该保护电路在高达几百千赫甚至兆赫的开关频率下,通过检测氮化镓功率器件的漏-源电压实现对过流故障...
  • 作者: 何志志 余佳俊 彭子舜 李宗鉴 江希 王俊
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  58-70
    摘要: 综述了Si IGBT/SiC MOSFET混合器件在门极优化控制策略、集成驱动设计、热电耦合损耗模型、芯片尺寸配比优化和混合功率模块研制等方面的最新研究成果与进展.Si IGBT/SiC M...
  • 作者: 宗晓萍 柴艳鹏 王培光 王贺瑞
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  71-76
    摘要: 高频感应焊机可用于钢管直缝焊接,主要特点为开关频率高和设备功率大,功率器件为硅MOSFET和硅快恢复二极管.由于硅基功率器件的特性限制,高频感应焊机的效率、容量和成本受到了一定制约.随着碳化...
  • 作者: 宁圃奇 曹瀚 柴晓光 温旭辉
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  77-84
    摘要: 绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)是限制新能源汽车可靠性和成本的关键因素.结温监测能够提升IGBT功率模块的功率密度,提高系统可...
  • 作者: 丘东元 刘明杰 张波 陈艳峰
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  85-93
    摘要: 针对传统Z源DC/DC变换器存在的输入电流不连续、输出电压增益不够高和功率器件电压应力较高等不足,利用开关电感和开关电容技术,提出了一种混合开关高增益DC/DC变换器.该变换器主电路中只用到...
  • 作者: 沙广林 洪君 王朋辉 王聪 田昕
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  94-101
    摘要: 目前大量文献对三端口直流变换器的软开关特性进行了相关研究,但大多是基于软开关的近似模型进行分析,分析结果存在较大的误差.首先介绍了基于端口之间单移相调制的变换器工作原理,并简化电路建立等效模...
  • 作者: 付兴武 杨玉岗 邓成成 邱尚龙
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  102-108
    摘要: 为了使BDC的交错并联磁集成技术与ZVS技术更好地结合来提高变换器的工作效率,研究了四通道交错并联磁集成双向DC/DC变换器在DCM模式下的实现条件以及模态分布,进一步了解变换器在DCM模式...
  • 作者: 刘昌赫 王学远
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  109-115
    摘要: 通过搭建单管效率仿真模型,从功率损耗角度分析SiC MOSFET相较Si MOSFET的优势.此后结合Ansoft Maxwell有限元分析,建立了适用于给定工况下效率仿真的变压器等效模型....
  • 作者: 姜力铭 桂成东 谭平平 陈文光
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  116-122
    摘要: 随着电力电子技术的发展,射频电源由电子管电源发展成现在的晶体管射频电源.氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子...
  • 作者: 张华 郑则炯
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  123-130
    摘要: 针对传统LED驱动电源谐振控制方法电路控制谐波异常导致输出电流过冲、电压稳定控制效果差和时延高等问题,提出了临界连续模式下高功率LED驱动电源谐振控制方法.结合PFC和LLC半桥两种方式,控...
  • 作者: 万宇阳 刘雪山 张哲丰 王春涛
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  131-136
    摘要: 提出了一种基于无源均流的单开关降压式四路输出LED驱动器,并分析了其工作原理及特性.该驱动器利用多电容电路结构实现了每个LED支路的均流,因此仅需控制其中一条输出支路的电流,即可实现对其他支...
  • 作者: 叶满园 康力璇
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  137-143
    摘要: 级联H桥CHB(cascaded H-bridge)光伏并网逆变器采用独立的最大功率点跟踪MPPT(maximum po-wer point tracking)控制可以有效地提高对太阳能的利...
  • 作者: 吴学智 曾国宏 潘一飞
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  144-150
    摘要: 提出了一种将光伏组件与储能电池有机结合构成光伏-储能单元,并在光储单元基础上组成规模可灵活配置和扩展的光伏储能系统的方法.该方法对于太阳能无人机、飞艇等对容量利用率、可靠性要求高且光照分布不...
  • 作者: 孙钢虎 寇水潮 杨沛豪 王小辉 郭霞 陈远志
    刊名: 电源学报
    发表期刊: 2020年4期
    页码:  151-156
    摘要: 近年来,国内电网电源结构发生了巨大变化,风电及光伏发电等大功率新能源并入电网.在利用可再生能源的同时,由于其电网不友好特性,对火力发电机组灵活性要求逐步提高.从储能电池系统联合火电机组对电网...

电源学报基本信息

刊名 电源学报 主编 韩家新
曾用名 电源技术学报(2002-2010)
主办单位 中国电源学会国家海洋技术中心  主管单位 国家海洋局
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 2095-2805 CN 12-1420/TM
邮编 300110 电子邮箱 dianyuan@126.com
电话 022-27686327 网址 www.jops.cn
地址 天津市南开区黄河道467号大通大厦16层

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