电子与封装期刊
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543

电子与封装

Electronics and Packaging

影响因子 0.2463
本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
主办单位:
中国电子科技集团公司第五十八研究所
ISSN:
1681-1070
CN:
32-1709/TN
出版周期:
月刊
邮编:
214035
地址:
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
出版文献量(篇)
3006
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  • 作者: 李宗亚 肖汉武 高辉
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  1-6,13
    摘要: 基于非陶瓷、金属等材料的空腔型封装是近年来兴起的一种非气密或准气密封装技术.这种封装技术采用环氧树脂或液晶聚合物等塑料材料制作空腔型外壳,相对于陶瓷、金属等无机材料而言,基于塑料材质的空腔型...
  • 作者: 张凯虹 武乾文 苏扬
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  7-9,22
    摘要: 如何快速又精确地输出低噪声放大器的测试值并使测试值符合测试规范是研究重点.基于多个测试仪器对低噪声放大器的特性参数进行测试开发.矢量网络分析仪完成S参数的测试,噪声测试仪完成噪声系数测试,信...
  • 作者: 韩新峰 顾卫民
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  10-13
    摘要: MOS管是一种常见的半导体功率器件,随着半导体产业的不断发展和进步,MOS管的各方面性能也得到大幅度的提高,被广泛应用于开关电源、节能灯、电源转换和电源控制等领域.在功率电路中,MOS作为一...
  • 作者: 唐彩彬
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  14-17,26
    摘要: 介绍了电源芯片的多Site测试设计与实现.基于CTA8280测试系统,通过对芯片CP(晶圆测试)要求进行分析,设计了8 Site测试电路外围,能够实现对晶圆进行8 Die并行测试.测试结果显...
  • 作者: 张帅 许圣全
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  18-22
    摘要: 设计一种带有消除失调电压的带隙基准源.采用NEC的0.35 μm 2P2M标准CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下进行设计和仿真.该电路比传统的带隙基准电路具有更高的精度和稳...
  • 作者: 刘彤 单悦尔 张艳飞 胡凯 谢达
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  23-26
    摘要: 开关矩阵是现场可编程门阵列FPGA芯片中最重要的组成部分之一.通过对FPGA中开关矩阵进行分析和研究,介绍了开关矩阵的布局和绕线方式,建立了开关矩阵的基本模型,对开关矩阵模型进行了仿真、分析...
  • 作者: 温艳兵 潘碑 蔡茂 郁健 马建军
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  27-30
    摘要: 简要介绍了高度表测量系统用射频前端收发组件的设计方案.详细阐述了主要功能单元电路和重要技术指标的设计考虑.该射频前端达到的指标为:输出发射功率大于16W,输出功率全温稳定性小于0.1 dB/...
  • 作者: 姜楠 潘结斌 陈计学
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  31-34
    摘要: 提出一种用于泄放微波控制电路[0,5V]或[0,-5V]电压控制端口的静电/浪涌电压结构,分别给出了[0,5V]或[0,-5V]电压控制端口静电/浪涌电压泄放结构的设计方法,并对其工作原理进...
  • 作者: 刘鹏 王金刚
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  35-38,43
    摘要: 为解决全桥硬开关电路的开关损耗问题,提高电源效率,研究了一种移相全桥软开关电路.与传统电路相比具有开关损耗小、EMI噪声低、工作频率高、电源效率高等优点.详细介绍了移相全桥电压PWM软开关电...
  • 作者: 曹雪松 王家波
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  39-43
    摘要: 对耦合线定向耦合器进行理论分析,对于对称型,首先求得多节定向耦合器的耦合度通用表达式,然后利用二项式(最平坦)响应前n-1阶导数为零的条件,计算出各节耦合系数.对于非对称型,利用四分之一波长...
  • 作者: 李宏
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2016年11期
    页码:  44-47
    摘要: 主要研究1200 V IGBT器件的性能优化方法.理论分析了IGBT结构参数与其主要性能的关系,按1200VIGBT器件击穿电压和饱和压降的设计要求,重点讨论了FS、JFET注入、延长JFE...

电子与封装基本信息

刊名 电子与封装 主编 王虹麟
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第五十八研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1681-1070 CN 32-1709/TN
邮编 214035 电子邮箱 ep.cetc58@163.com
电话 0510-85860386 网址 www.ep.org.cn
地址 江苏无锡市惠河路5号(208信箱)

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