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电子与封装期刊
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
24

电子与封装

Electronics and Packaging

影响因子 0.2463
本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
主办单位：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
ISSN：
1681-1070
CN：
32-1709/TN
出版周期：
月刊
邮编：
214035
地址：
江苏无锡市惠河路5号（208信箱）
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
24
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  • 1. 光窗封接工艺对光电外壳抗强冲击影响的研究
    作者： 杨拓 江德凤 王彬彬
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2017年11期
    页码:  1-5
    摘要： 通过对三种光窗封接工艺的对比分析,探索了怎样提高带光窗光电外壳的抗强冲击能力.运用有限元软件ANSYS分析MBCY009-W8W的局部封接工艺、高温封接工艺、低温钎焊工艺及其存在微裂纹对抗强...
  • 2. 无压惰性气氛银烧结层空洞率影响因素研究
    作者： 彭浩 徐文辉 李聪成 滕鹤松 牛立刚 王玉林
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2017年11期
    页码:  6-9,14
    摘要： 在SiC功率模块的封装中,银烧结技术被认为是连接芯片到基板最为合适的技术.裸铜表面无压银烧结技术无需在芯片表面施加压力,降低芯片损伤风险;基板铜层无需贵金属镀层,提高了烧结层的可靠性,降低了...
  • 3. 基于ATE的SRAM测试
    作者： 奚留华
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2017年11期
    页码:  10-14
    摘要： 随着集成电路技术的飞速发展,SRAM的应用越来越广泛,其测试技术也得到了广泛的重视和研究.简要介绍了SRAM的重要组成部分,提出了一种ATE对SRAM测试的方法.SRAM的测试有功能测试、直...
  • 4. LDO芯片CP通用测试方法研究
    作者： 唐彩彬 张凯虹
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2017年11期
    页码:  15-18
    摘要： 介绍了LDO(线性稳压器)的通用测试方法.基于长川CTA8280测试系统,通过对芯片CP(圆测试)要求进行分析,设计了某款LDO芯片的测试外围,实现了对该LDO芯片功能与性能的测试.该方案能...
  • 5. 基于SiGe BiCMOS工艺的射频ESD电路设计
    作者： 吴舒桐 张甘英
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2017年11期
    页码:  19-22
    摘要： 随着射频电路工作频率的不断升高,ESD已经成为了影响电路可靠性和射频电路性能的重要因素.针对高速射频电路,设计了高速I/O口ESD防护电路和电源到地的箝位电路,并采用斜边叉指型二极管进行版图...
  • 6. 一种数字高精度秒脉冲生成方法
    作者： 吕超英 梅平 赵海
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2017年11期
    页码:  23-25
    摘要： 提出了一种高精度的秒脉冲生成方法,依据晶体的温度特性,采用分段拟合的方法估算晶振误差.在不同工作温度下对振荡频率进行时间补偿,产生高精度秒脉冲信号.该方法可应用于低功耗SoC的实时时钟设计中...
  • 7. 四通道数字隔离器设计
    作者： 李全 李娟 程凌
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2017年11期
    页码:  26-29
    摘要： 片上变压器是使用MEMS技术制造的电感线圈.传统的隔离通讯设备采用的是分立式元件,体积大、功耗高并且不利于集成在同一个管壳内.片上变压器则可以克服传统隔离设备的缺点,具有高耦合系数、低功耗以...
  • 8. 应用于高压接口电路的SCR ESD保护研究
    作者： 曹燕杰 王燕婷
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2017年11期
    页码:  30-32
    摘要： SCR是ESD保护器件中最具有面积优势的一种.提出一种应用于高压接口电路的SCR ESD保护结构,同时避免了发生闩锁的风险.采用0.5 μm BCD工艺设计,可达8000V人体模型ESD能力...
  • 9. FPGA上电复位过程的存储单元读写检测方法
    作者： 张胜广 徐玉婷 耿杨 谢杰
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2017年11期
    页码:  33-35
    摘要： 基于FPGA技术,提出了一种关于FPGA上电复位过程的存储单元读写检测方法.该方法能够在FPGA上电复位的过程中较早地检测出芯片中心的控制电路和若干级buffer的驱动能力是否足以控制所有存...
  • 10. 11～12GHz单电源GaN微波功率放大模块研制
    作者： 唐世军 嵇妮娅 汤茗凯
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2017年11期
    页码:  36-38
    摘要： 报告了采用凹槽栅场板结构的GaN微波功率HEMT管芯,优化了场板结构和工艺参数,制作了0.8 mm和2.4 mm栅宽的管芯.采用该管芯制作了两级放大的功率模块,该模块匹配电路制作在380 μ...
  • 11. 掩模图形切割方式对曝光时间的影响研究
    作者： 张鹏 胡超 魏晓群
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2017年11期
    页码:  39-43
    摘要： 掩模生产过程中,数据处理为至关重要的一环,利用专用数据处理软件,将客户设计的图形数据进行图形分割后转换成满足不同曝光机台的数据格式.通过调整数据处理软件的相关参数来研究对激光束曝光机、电子束...
  • 12. 栅氧化方式对NMOS器件总剂量电离效应的影响
    作者： 刘佰清 刘国柱 吴健伟 洪根深 郑若成
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2017年11期
    页码:  44-48
    摘要： 基于抗辐射0.6 μm CMOS工艺,对5 V/20 V&LV/HV NMOS器件进行了总剂量加固结构设计,并采用叠栅氧工艺成功制备了抗总剂量能力≥500 krad(Si)高低压兼容的NMO...

电子与封装基本信息

刊名 电子与封装 主编 王虹麟
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第五十八研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1681-1070 CN 32-1709/TN
邮编 214035 电子邮箱 ep.cetc58@163.com
电话 0510-85860386 网址 www.ep.org.cn
地址 江苏无锡市惠河路5号（208信箱）

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