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电子器件

Chinese Journal of Electron Devices

CASACSTPCD

影响因子 0.6907
本刊主要向国内外介绍有关电子学科领域的新理论、新思想、新技术和具有国内外先进水平的最新研究成果和技术进展。本刊发扬学术民主，坚持双百方针，为促进国内外学术交流、促进电子科学技术快速发展和国民经济建设服务。 本刊主要刊登真空电子学、微波电子学、光电子学、薄膜电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术、真空物理与技术、表面分析技术、传感技术、电子... 更多
主办单位：
东南大学
期刊荣誉：
江苏省二级期刊  获《CAJ-CD规范》执行优秀奖 
ISSN：
1005-9490
CN：
32-1416/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210096
地址：
南京市四牌楼2号
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  • 1. 杂质引起MgO退化的关系和PDP中的消气特性
    作者：
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  1-6
    摘要： 在PDP技术中,MgO 的关键作用已经被认识.二次电子的高释放能力,低溅射率和高电阻率使得这个材料适用于PDP 中.然而,在 PDP 的生产过程中,MgO 层将要经受几次在苛刻环境条件下的高...
  • 2. 在便携式全球移动通信系统中的低功耗AMOLED显示
    作者：
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  7-11
    摘要： 被动矩阵 OLEDs已有许多应用,流行于如移动电话,汽车仪表板里等.与 LCD-TFT 相比,OLED 技术有宽视角,高对比度,反映时间快和消除背光功率消耗的优点.然而被动矩阵的局限是显示尺...
  • 3. 平版印刷法制作电致发光显示器的微型化电极布线
    作者：
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  12-16,204-205
    摘要： 平板印刷柔性的电致发光显示器的交错对插的电极.根据电致发光的荧光粉颗粒尺寸的大小采用的不同的方法将其沉积.小颗粒荧光粉分子可以很容易地与印刷油墨混合.使用这种交错对插电极的柔性显示器不需要透...
  • 4. 等离子体显示板面光源的制备技术及光电特性研究
    作者： 孙戎 尚学府 梁宜勇 王鲲 顾征 顾智企 马燕萍
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  17-21
    摘要： 利用等离子体显示板自发光、薄型、亮度高、发光均匀的特点,开发出基于等离子体显示机理的薄型等离子体面光源,用于需要薄型照明的特定场合.为克服等离子体显示板发光效率过低的不足,对面光源显示板的结...
  • 5. 采用 Al2O3/ITO 阳极的有机电致发光器件
    作者： 刘明 李大勇
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  22-24,28
    摘要： 在采用α-naphtylphenyliphenyl diamine (NPB)和 tris-8-hydroxyquinoline almninura (Alq3 材料的双层有机电致发光器件(...
  • 6. 空穴阻挡层对有机发光二极管寿命的影响
    作者： 周翔 袁永波 连加容
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  25-28
    摘要： 为研究空穴阻挡层对有机发光二极管寿命的影响,制备了含有空穴阻挡层的典型双层结构有机发光二极管,其中八羟基喹啉铝(Alq3)为发光层和电子传输层,BCP 为空穴阻挡层.器件的寿命随着发光层的厚...
  • 7. 白光发光二极管在高效光源模块中的应用
    作者： 孙卓 张哲娟 杨介信 陈奕卫 高阳
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  29-32
    摘要： 将GaN基蓝光激发YAG荧光粉的成白光发光二极管(W-LED)优选后,以串联形式集成为 W-LED 发光模块.分别测试了 W-LED 集成光源模块的光电特性、发光效率以及不同电流驱动下的光源...
  • 8. 硅基倒置型顶发射有机发光二极管
    作者： 周翔 袁永波 连加荣 陈树明
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  33-35,39
    摘要： 利用n型硅作为阴极制备了倒置型顶发射有机发光二极管.通过在 n-Si 阴极和电子传输层(Alq3)之间插入1 nm厚的 Ba 作为电子注入层,将器件的开启电压从20 V降低到9 V,并且将器...
  • 9. 利用 LiF 空穴阻挡层提高有机发光二极管效率
    作者： 周翔 袁永波 连加荣
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  36-39
    摘要： 通过引入LiF,明显提高了基于八羟基喹啉铝双层有机发光二极管的发光效率.2 nm 厚的 LiF 空穴阻挡层可将器件的发光效率从 2.6 cd/A 提高到 6.3 cd/A,研究结果表明,Li...
  • 10. 用ZnS薄膜作为空穴缓冲层的高效率有机发光二极管
    作者： 仲飞 刘彭义 张靖磊
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  40-43
    摘要： 用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件(OLEDs)的空穴缓冲层,使典型结构的 OLEDs(ITO/TPD/Alq/LiF/Al) 的发光性能得到改善.ZnS 缓冲层厚度对器件性能影...
  • 11. 生长在钨丝上的碳纳米管发射显示阴极
    作者： 李祈兴 横山 明聪 苏水祥 赖有豪 陈冠廷
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  44-47,215
    摘要： 通过化学气象沉积的方法用甲烷作为碳源在金属钨作为衬生长的碳纳米管,我们能发现碳纳米管与催化溶液(Fe(NO3)3·9H2O)在 2.5 摩尔的浓度.在金属钨做衬底的碳纳米管的场发射电流可以达...
  • 12. 电泳淀积三极管结构的碳纳米管场发射显示阴极
    作者： 吕文辉 宋航 曹连振 李志明 缪国庆 蒋红 赵海峰 赵辉 金亿鑫
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  48-51
    摘要： 本研究探索了一种电泳选域组装碳纳米管发射器到正栅极结构的衬底中作为三极管结构的场发射显示阴极的工艺.在这个工艺中,悬浊液中的碳纳米管在施加于栅极电极和阴极电极的电压的作用下移向并淀积到三极管...
  • 13. 应用于1.55 微米的高含氮量GaInNAs/GaAs单量子阱的光激反射和光激发光的研究
    作者： HUNGC. T. 苏国和 陈自雄
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  52-56
    摘要： 用光的反射光谱和光的光致发光光谱的测量对Ga0.69In0.31NxAs1-x/GaAs 的单量子阱的光学特性作了研究,在单量子阱的反射光谱中,观察到 GaAs 能隙之上的 Franz-Ke...
  • 14. 预处理蓝宝石衬底上生长高质量 GaN 显示薄膜
    作者： 冯玉春 刘晓峰 彭冬生 牛憨笨
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  57-60
    摘要： 采用化学方法腐蚀部分 c-面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用 LP-MOCVD 在此经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长 GaN 薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、光致...
  • 15. 超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响
    作者： 冯玉春 刘晓峰 彭冬生
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  61-64
    摘要： 为了降低MOCVD外延生长Si基GaN的缺陷密度,尝试引入超品格插入层.界面突变的超晶格插入层能有效地阻挡由缓冲层延伸出来的位错.即使超晶格本身也产生位错,但位错的产生率比阻挡率低,所以超晶...
  • 16. Tb3+掺杂SrO-TiO2-SiO2玻璃在红外飞秒激光照射下的三光子激发上转换发光
    作者： 周时凤 张松敏 曾伟 朱斌 邱建荣 郁建灿
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  65-67,71
    摘要： Tb3+ 掺杂SrO-TiO2-SiO2 玻璃在 800nm 的飞秒激光照射下可以观察到红外至可见的上转换现象.由飞秒激光激发的上转换荧光光谱与 267 nm 氙灯激发的荧光光谱非常相似.其...
  • 17. 腐蚀石英光栅为分光元件的激光照明系统研究
    作者： 朱健强 王宪涛 赵智亮
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  68-71
    摘要： 利用腐蚀法制作的石英光栅作为分光元件.将其应用拓展到激光景观工程领域中,产生了全新的激光景观效果.给出了一种适用于室外复杂环境用于激光景观照明系统中的光栅分光原理、制作工艺过程等,发展了采用...
  • 18. 等离子平板显示中冷阴极纳米金刚石膜的制备
    作者： 刘建敏 夏义本 徐金勇 王林军 祝雪丰 胡广 黄建
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  72-76
    摘要： 讨论大面积 4 cm×4 cm 纳米金刚石膜制备工艺.采用电子辅助-热丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)在硅片上沉积纳米金刚石膜.生长过程中,预先加 6 安培偏流生长 1 小时,然后在 0...
  • 19. 基于 P-Type 多晶硅TFT技术的集成型有源 OLED 驱动电路
    作者： 丁媛媛 司玉娟 郎六琪
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  77-81
    摘要： 低温多晶硅(LTPS:Low-temperature poly-Si)技术已经成为薄膜晶体管(TFT:thin film transistor)制作中最具吸引力的技术,并应用在AMOLED显...
  • 20. 液晶盒中电极边缘效应的研究
    作者： 张志东 赵金良
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  82-86
    摘要： 利用差分方法通过解二维非线性偏微分方程,得到了液晶盒中液晶指向矢的空间分布,在此基础上,进一步得到了透射光强的分布,我们发现,一方面,电极边缘处透射光强分布不同于电极中间处;另一方面,其它条...
  • 21. 傅里叶分析法求Stokes矢量测量扭曲向列相液晶盒盒厚和扭曲角
    作者： 凌志华 崔宏青
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  87-91
    摘要： 本文提出了一种测量扭曲向列相液晶盒盒厚与扭曲角的新方法,在液晶盒和检偏器之间放置四分之一波片,通过旋转此四分之一波片,测量各个调制点的光强,用傅里叶分析法计算线偏振光穿过液晶盒后的 stok...
  • 22. OCB液晶显示模式的电光特性模拟
    作者： 仲成美 许军
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  92-95
    摘要： 利用计算机模拟的办法,计算了光学补偿弯曲(OCB)模式和无偏压光学补偿弯曲(NBB-OCB)模式这两种液晶显示模式下数种液晶材料的电压-透过率曲线和动态响应曲线,验证了 NBB-OCB 模式...
  • 23. CdS 纳米粒子掺杂的液晶显示器件的低开启电压和频率调制特性
    作者： 张天翼 杜玉扣 王莹 许军
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  96-99
    摘要： 降低能耗对于液晶显示器件,尤其是移动显示尤为重要.在本研究中,3 nm 和 5 nm 两种不同尺寸的 CAS 纳米粒子被用来掺杂入 5CB 液晶材料.掺杂浓度分别为 0.1 wt%和 0.2...
  • 24. 应用于低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器之新型互补电流镜式模拟缓冲放大器
    作者： 刘汉文 张鸿鹏 林致颖 汪芳兴
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  100-104
    摘要： 取代传统运算放大器和临界电压补偿型模拟缓冲器,提出了一种新型的互补式电流镜模拟缓冲器,可以利用在低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器驱动电路上.使用 N 型电流镜和 P 型电流镜来交互使用以达到较...
  • 25. 一种低功耗液晶显示的便携式射频识别读写器系统
    作者： 吴武臣 王秀玲 耿淑琴 郭跃
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  105-108
    摘要： 提供了一种用于便携式射频识别读写器的低功耗液晶实时显示系统,工作频率在 125 kHz 国际通用频段.基于降低功耗的考虑,采用当前先进的超低功耗的片上系统(SOC-System On Chi...
  • 26. 基于高迁移率微晶硅的薄膜晶体管
    作者：
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  109-114
    摘要： 近年来,微晶硅(μc-Si:H)被认为是一种制作 TFT 的有前景的材料.采用PECVD法,在低于200℃时制作了微晶硅TFTs,其制作条件类似于非晶态 TFTs.微晶硅 TFTs 器件的迁...
  • 27. 氧化锌薄膜生长与ZnO基薄膜晶体管制备
    作者： 付国柱 常遇春 朱慧超 杜国同 杨小天 王超 荆海 金虎 马仙梅 马凯 高博 高文涛 齐晓薇
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  115-116
    摘要： 通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长ZnO薄膜.XRD测试显示出(002)晶面的强衍射峰,表明生长的ZnO 薄膜是主度的c轴取向.基于 ZnO 薄膜基础,我们制备了 ZnO 基薄膜...
  • 28. 基于物理并适用于电路仿真的多晶硅薄膜晶体管薄层电荷模型
    作者： 吴为敬 邓婉玲 郑学仁 陈荣盛
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  117-120,123
    摘要： 本文利用薄层电荷理论,建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon Thin-Film Transistors,poly-Si TFTs)的电流模型,且该模型适用于...
  • 29. 氧化锌基薄膜晶体管制备与研究
    作者： 付国柱 常遇春 曹健林 朱慧超 杜国同 杨小天 王超 荆海 董秀茹 金虎 马仙梅 高博 高文涛 齐晓薇
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  121-123
    摘要： 以玻璃为衬底,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在360℃附近实现ZnO薄膜的生长.利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管.SiO2 被用作栅绝缘材料以有效的抑制漏泄电流的产生,达...
  • 30. 一种减少田 TFT 显示板上闸驱动器输出电晶体应力效应的设计
    作者： 刘堂杰 吴鸿璋 曹铭原 萧敏学 郑经华
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2008年1期
    页码:  124-129
    摘要： 为了降低 TFT-LCD 闸驱动电路中电晶体因畏期承受高的闸电压应力造成門限(Threshold)电压之劣化现象,本研究中探用双下拉结构与放电路径方式设计了一个高可靠性的 TFT-LCD 面...

电子器件基本信息

刊名 电子器件 主编 孙立涛
曾用名
主办单位 东南大学  主管单位 中华人民共和国教育部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1005-9490 CN 32-1416/TN
邮编 210096 电子邮箱 dzcg-bjb@seu.edu.cn
电话 025-83794925 网址
地址 南京市四牌楼2号

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