基于物理并适用于电路仿真的多晶硅薄膜晶体管薄层电荷模型

• 作者: 吴为敬 邓婉玲 郑学仁 陈荣盛
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜晶体管 表面势 薄层电荷模型
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 液晶和其它非自发光显显示器
• 页码范围: 117-120,123
• 页数: 5页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 1117字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.01.028

摘要

本文利用薄层电荷理论,建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon Thin-Film Transistors,poly-Si TFTs)的电流模型,且该模型适用于电路仿真.推导了 poly-Si TFTs 表面势的近似解法,该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率,且精确度高并得到实验验证.基于物理的迁移率方程考虑了晶界势垒高度,和由于声子散射与表面粗糙散射引起的迁移率退化.基于 Brews 的薄层电荷模型和上述非迭代计算表面势,本电流模型同时考虑了漏致势垒降低(DIBL)效应、kink 效应和沟道长度调制效应.对不同沟长的器件实验数据比较发现,提出的模型在很广的工作电压内与实验数据符合得非常好.同时本模型的所有方程都具有解析形式,电流方程光滑连续,适用于电路仿真器如 SPICE.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑学仁	华南理工大学微电子研究所	72	463	12.0	17.0
2	邓婉玲	华南理工大学微电子研究所	12	64	5.0	7.0
3	陈荣盛	华南理工大学微电子研究所	6	16	2.0	3.0
4	吴为敬	华南理工大学微电子研究所	24	74	4.0	7.0