用于器件描述和电路仿真的新型多晶硅TFT直流模型

• 作者: 邓婉玲 郑学仁 陈荣盛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜晶体管 表面势 直流模型 翘曲效应
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1916-1923
• 页数: 8页
• 分类号: TN321
• 字数: 1946字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.12.012

摘要

提出一种新型的多晶硅薄膜晶体管电流-电压物理模型.考虑了陷阱态密度的V形指数分布,运用Lambert W函数推出了表面势的显式求解方法,大大提高了运算效率,在电路仿真中发挥了重要作用.基于指数的陷阱态密度和计算的表面势,描述了亚阈值区和强反型区的漏电流特性.推导了完整、统一的漏电流表达式,包括翘曲效应.在很广的沟道长度范围和工作区内,模型和实验数据一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑学仁	华南理工大学微电子研究所	72	463	12.0	17.0
2	邓婉玲	华南理工大学微电子研究所	12	64	5.0	7.0
3	陈荣盛	华南理工大学微电子研究所	6	16	2.0	3.0