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电子器件期刊
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电子器件

Chinese Journal of Electron Devices

CASACSTPCD

影响因子 0.6907
本刊主要向国内外介绍有关电子学科领域的新理论、新思想、新技术和具有国内外先进水平的最新研究成果和技术进展。本刊发扬学术民主，坚持双百方针，为促进国内外学术交流、促进电子科学技术快速发展和国民经济建设服务。 本刊主要刊登真空电子学、微波电子学、光电子学、薄膜电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术、真空物理与技术、表面分析技术、传感技术、电子... 更多
主办单位：
东南大学
期刊荣誉：
江苏省二级期刊  获《CAJ-CD规范》执行优秀奖 
ISSN：
1005-9490
CN：
32-1416/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210096
地址：
南京市四牌楼2号
出版文献量（篇）
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  • 1. 基于聚吡咯微电极的MEMS微型超级电容器的研究
    作者： 周扬 尤政 张高飞 王晓峰 阮勇
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  1-6
    摘要： MEMS 微能源是指采用微加工技术制作实现能量的获取与转换、存储与释放的微纳器件与系统,而微型超级电容器则是一种基于电化学电容实现储能的微型能量存储器件,可作为能量存储单元在MEMS微电源系...
  • 2. 适用于PDP的透明六硼化镧薄膜性能研究
    作者： 刘曾怡 权祥 林祖伦 王小菊 邓维伟
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  7-11
    摘要： 采用电子束蒸发方法在商用PDP玻璃衬底和Ta衬底上沉积六硼化镧薄膜.分别对PDP玻璃衬底上沉积的六硼化镧薄膜的可见光范嗣内的透过率、薄膜生长取向和附着力进行了研究;对钽衬底上沉积的六硼化镧薄...
  • 3. 用于InP基DHBT制备的GaAs0.51 Sb0.49湿法腐蚀研究
    作者： 孙浩 徐安怀 朱福英 滕腾 艾立鹍 齐鸣
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  12-16
    摘要： 介绍了采用基于柠檬酸、硫酸和磷酸的腐蚀溶液对气态分子束外延生长的InP衬底上GaAs0.51 Sb0.49湿法腐蚀研究工作.对不同体积比的腐蚀溶液的腐蚀速率和表面粗糙度进行了研究.和硫酸及磷...
  • 4. 基于RESURF理论的SOI LDMOS 耐压模型研究
    作者： 刘军 孙玲玲 李文钧 王皇 申屠旭丹 苗田乐 郑伟
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  17-20
    摘要： 对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMOS器件漂移区的最优浓度,在此基础上将该模型嵌...
  • 5. RF-PECVD法制备a-Si1-x Cx:H薄膜的光学性能研究
    作者： 傅俊威 吴茂阳 李伟 蒋亚东 邱毅娇
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  21-24
    摘要： 以SiH4和CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,通过改变CH4/SiH4流量比和射频功率制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-Si1-x Cx:H)薄膜.采...
  • 6. PDLC薄膜电光特性研究
    作者： 谢建辉 黄子强
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  25-28
    摘要： 采用PIPS法制备聚合物分散液晶(PDLC)薄膜,研究在聚合过程中曝光强度、曝光温度等条件不同的情况下,对PDLC膜的形貌、光电性能的影响.研究表明,PDLC薄膜受温度影响显著.同时还研究了...
  • 7. 一种指数掺杂的砷化镓平面肖特基变容二极管的设计与制作
    作者： 张海英 杨浩 田超 董军荣 黄杰
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  29-32
    摘要： 利用标准微电子工艺研制出了一种可以应用于微波倍频电路中的肖特基势垒变容二极管,采用平面结构的制作工艺,克服了传统制作工艺的不易集成的缺点.并且在N型层的掺杂浓度呈指数规律,使变容管的变容比高...
  • 8. 磁控溅射NiO/ZnO透明异质结二极管及其光电特性研究
    作者： 张国宏 文永亮 权祥 祁康成
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  33-35
    摘要： 采用磁控溅射方法在ITO玻璃基板上沉积NiO,ZnO,AZO三层透明氧化物薄膜,成功制备了NiO/ZnO透明异质结二极管.实验结果表明,PN结展示出明显的I-V整流特性,正向开启电压1V;在...
  • 9. N2O气氛退火对SONOS非易失性存储器性能的优化研究
    作者： 周群 曹刚 李曦 林钢 沈国飞 石艳玲
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  36-39
    摘要： SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)型非易失性存储器件的电荷保持能力与Si-SiO2界面态的质量密切相关.通过在SONOS的隧穿氧化层工艺流程...
  • 10. Cascode射频有源电感的设计
    作者： 丁春宝 孙博韬 尤云霞 张万荣 沈珮 谢红云 金冬月
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  40-43
    摘要： 基于Cascode结构,提出了采用双共基异质结双极型晶体管级联反馈射频有源电感的设计方法,并与电阻反馈、单共基晶体管反馈构成的两种有源电感进行了比较.分别从理论上推导出了这三种不同反馈支路的...
  • 11. 无线接收机中低噪声放大器的设计与仿真
    作者： 张福洪 罗晚会
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  44-48
    摘要： 无线通信系统对接收机的性能提出了更高的要求.低噪声放大器能降低系统的噪声和提高接收机灵敏度,是接收系统的关键部件.设计的LNA应用于接收机前端,工作频率为2.575 GHz-2.625 GH...
  • 12. 基于电容补偿技术的CMOS功率放大器设计
    作者： 吴明赞 李竹 韦小刚
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  49-52
    摘要： 利用电容补偿技术技术可以有效提高功率放大器的线性度.这垦描述了一种采用电容补偿技术改善线性的5.25GHz WLAN的功率放大器的设计方法,使用CMOS工艺设计了两级全差分放大电路,在此基础...
  • 13. 一种基于CMOS CCDVCC Ⅱ的可编程多功能滤波器及可编程测量放大器
    作者： 王卫东 赵怡
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  53-56
    摘要： 介绍了一种新型的电调谐差分电压输入第二代电流传输器.并且用其构成一种电压模式多功能滤波器,可以获得:低通、高通、带通、带阻、全通传输函数.且这种滤波器可以通过调节电流传输器偏置电流独立改变传...
  • 14. 基于电流镜积分的红外探测器读出电路设计
    作者： 单慧 夏建宝 戴姗姗 罗向东
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  57-62
    摘要： 详细分析了电流镜积分(CMI)读出电路的工作原理、设计过程和CMI结构的噪声,并用CSMC 0.5μm CMOS工艺对所设计的电路进行仿真和版图设计,仿真结果表明CMI结构在电源电压为5 V...
  • 15. 基于单片机的恒流源技术研究
    作者： 吴岳芬 张敏 李一鸣 荣军 黄帅
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  63-65
    摘要： 设计了一种基于单片机控制的数控恒流源.数控恒流源以AT89S52为控制核心,采用了高共模抑制比低温漂的运算放大器OP07和达林顿管TIP122构成恒流源的主体,配以高精度12 bit D/A...
  • 16. 四翼蝴蝶Lü吸引子的电路设计与实现
    作者： 朱雷 武花干
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  66-69
    摘要： 通过在三维Lü系统上加载一个单脉冲函数,提出了一个三维四翼Lü系统.新系统有四个指数2平衡点,可产生一个四翼蝴蝶吸引子.采用运算放大器和乘法器等模拟元器件设计了单脉冲函数电路和Lü系统电路,...
  • 17. 3 MHz～30 MHz宽带四路同相功率合成器的设计与实现
    作者： 陈昌 陈昌明
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  70-73
    摘要： 介绍一种基于传输线变压器的3 MHz～30 MHz的四路同相功率合成器,利用仿真软件分析其在工作频带内的传输特性,损耗特性,相移特性.最后按照仿真电路制作功率合成器实物,通过测试验证该功率合...
  • 18. 高输出电压的宽带程控增益放大系统
    作者： 杜力 裴玉伟 赵宁 马大康
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  74-76
    摘要： 设计了以电压控制可变增益放大器AD603为程控增益主体,以MSP430F449单片机为控制核心的高电压输出宽带程控增益放大系统.系统电压增益为0～60 dB可调,3 dB带宽2.5 MHz、...
  • 19. 基于压缩采样的UHF相关跳频检测技术
    作者： 卢聪敏 汪立新
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  77-80
    摘要： 相关跳频(差分跳频)通信技术已成功地应用到短波(HF)通信中,但要想在超高频(UHF)频段应用该技术目前还存在诸多的困难.研究了在UHF频段对频域稀疏的宽频段信号结合稀疏分解的方法,提出了一...
  • 20. 压缩采样中模拟信息转换器的性能仿真
    作者： 吴剑锋 汪立新 陈宇科
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  81-84
    摘要： 受奈李斯特采样定理的约束,传统通信设备在提高分辨率和满足实时性要求时,面临高采样率、快处理速度等问题的挑战.而根据压缩采样(Compressive Sensing,CS)理论构建的模拟信息转...
  • 21. 空天信息系统的容错设计与实现
    作者： 张金林 李跃华 肖松
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  85-88
    摘要： 为了提高SRAM型FPGA在空天信息系统应用中的可靠性,提出了一种基于FPGA局部动态可重构的容错系统设计方法.通过深入分析FPGA在空天信息系统应用中的故障机理,比较了当前应用较为广泛的抗...
  • 22. 椭圆曲线数字签名算法优化与设计
    作者： 游林 陈亮
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  89-93
    摘要： 简单阐述经典椭圆曲线数字签名(ECDSA)的基本原理,并分析其时间复杂度.在文中列举两种已经改进ECDSA签名算法,同时也分析它们时间复杂度.从椭圆曲线数字签名的安全性和高效性出发,提出一种...
  • 23. 标签分块技术在MPLS标签分配中的设计与应用
    作者： 何燕 马琪
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  94-97
    摘要： 在MPLS网络中,数据包被短而定长的标签所封装,并根据标签进行转发.本设计通过对MPLS标签空间按不同业务处理进行分块,弗为每个业务内嵌独立的本地标签池,设计并实现了基于标签分块技术的MPL...
  • 24. 数字光纤直放站中CPRI协议的FPGA实现
    作者： 吴宝合 黄世震
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  98-103
    摘要： 为了实现对特定地区的低成本覆盖,将无线基站的控制部分和射频部分分离.介绍了公共通用无线接口(CPRI)协议的规范,给出了基于LATTICE半导体公司的LFE2M35E的FPGA实现方案.采用...
  • 25. USB协议在嵌入式系统文件传输中的应用
    作者： 应冬青 王健
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  104-107
    摘要： 为提高文件下载速率和可靠性,提出一种基于USB的文件传输方法.介绍了USB在嵌入式系统中的应用,简要说明了USB设备控制器的一些特性,详细地介绍了软件设计思路.本次设计核心处理器采用三星的S...
  • 26. 一种新的程序在线升级的实现
    作者： 叶子健 王健
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  108-111
    摘要： 介绍一种新的程序在线升级方法,以及程序在线升级方法[1]在嵌入式系统中的应用和实现.设计将从系统原理和实现介绍该程序在线升级方法[2].设计的核心处理器采用飞思卡尔MC9S12xDT512控...
  • 27. 宽带平板天线的设计与仿真
    作者： 曹卫平 李思敏 高健
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  112-114
    摘要： 基于CST软件设计了一种宽带平板天线,在由4个偶极子组成的阵列下方放置一块金属反射板形成定向天线,通过在平板上采用周期结构反射器来扩大天线的带宽,并结合这种方法,设计了工作在760 MHz～...
  • 28. FBG传感技术在线监测电缆表面温度
    作者： 曹敏 赵艳峰 韦根原
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年1期
    页码:  115-118
    摘要： 对电网的安全性运行要求越来越高,在线监测电缆系统的运行状态就显得至关重要.高压电缆系统运行中出现故障时,其电气绝缘性能显著下降,不仅绝缘本体的局部放电量异常增大,同时还常伴随着故障隐患部位的...
  • 29. 发射层对指数掺杂Ga1-χAlχ As/GaAs光阴极性能的影响
    作者： 常本康 张俊举 张益军 熊雅娟 赵静
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年2期
    页码:  119-124
    摘要： 为了探索发射层厚度对指数掺杂Ga1-χAlχAs/GaAs光电阴极光学性能与光电发射性能的影响,实验制备了两种发射层厚度不同的阴极样品,并测试得到400μm～1 000 nm内反射率、透射率...
  • 30. 背面刻蚀对单晶硅太阳电池性能影响的研究
    作者： 吴京波 李斌斌 杨超 江丰 沈鸿烈 陈海力
    刊名： 电子器件
    发表期刊： 2011年2期
    页码:  125-128
    摘要： 为了减少太阳电池载流子的背面复合,采用离子束对沉积完SiNx减反射膜后的单面扩散和双面扩散的单晶硅片背面进行刻蚀,研究了刻蚀时间对太阳电池性能的影响.采用标准的太阳电池单片测试仪测试电池性能...

电子器件基本信息

刊名 电子器件 主编 孙立涛
曾用名
主办单位 东南大学  主管单位 中华人民共和国教育部
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1005-9490 CN 32-1416/TN
邮编 210096 电子邮箱 dzcg-bjb@seu.edu.cn
电话 025-83794925 网址
地址 南京市四牌楼2号

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