电子元件与材料期刊
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电子元件与材料

Electronic Components & Materials

CACSCDJSTSACSTPCD

影响因子 0.4379
本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果,报道科学技术和行业发展的动态,介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性,深受广大读者好评;一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊;被CA和IEE INSPEC全文收录;系中国科学引文数据库来源期刊,系中国科技论文统计源期刊。
主办单位:
中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉:
第二届国家期刊奖百种重点期刊(2003年)  
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
出版周期:
月刊
邮编:
610051
地址:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
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  • 作者: 夏俊霄 张鸿 李亚玲 李志成
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  1-3
    摘要: 利用湿化学方法,以碳酸钾和钼酸为原料,聚乙二醇为分散剂和螯合剂,制备了K0.9Mo6O17前驱体.在碳粉保护环境及500℃温度下对所得前驱体进行煅烧后,获得了K0.9Mo6O17粉体.最后,...
  • 作者: 丘泰 方志远 李兆喜 沈春英
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  4-6
    摘要: 采用传统固相工艺制备了Ba3.99Sm9.34Ti18O54(BSTO)微波介质陶瓷,研究了烧结助剂CuO对BSTO的结构及介电性能的影响.结果表明,添加CuO能较好促进BSTO晶粒致密化,...
  • 作者: 丁士华 宋天秀 李在映 郭丽华
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  7-10
    摘要: 采用固相反应法制备了(Bi2-xNax)(Zn1/3Nb2/3)O7陶瓷,研究了Na+替代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7基陶瓷烧结性能、显微结构和介电性能的影响.替代后样品的...
  • 作者: 张庆军 曲远方 李远亮 王冉然
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  11-13
    摘要: 以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Sm2O3为掺杂剂,制备了BaSrTiO3系介质陶瓷.利用SEM等仪器研究了陶瓷试样的微观形貌和介电性能.结果表明:当Sm2O3掺杂量低于0.10%摩尔分...
  • 作者: 吴继伟 张立 胡志强 许芳怡
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  14-16
    摘要: 以CaO-MgO-SiO2-B2O3(CMSB)玻璃为烧结助剂,低温烧结制备了BaZrO3微波介质陶瓷,研究了CMSB加入量对BaZrO3陶瓷的烧结温度、结构及性能的影响.结果表明,CMSB...
  • 作者: 吴路燕 周洪庆 宁革 朱海奎 韦鹏飞
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  17-20
    摘要: 向CaO-B2O3-SiO2微晶玻璃中添加双碱金属氧化物Na2O和Li2O.研究了Na2O和Li2O的总体质量分数和二者的质量比对玻璃试样性能的影响.采用DSC、XRD、SEM分析了玻璃的性...
  • 作者: 史晓菲 郭美霞
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  21-24
    摘要: 利用直流磁控溅射工艺,在水冷玻璃衬底上制备了透过率高、电阻率相对较低的钛铝共掺杂ZnO(TAZO)透明导电膜.用XRD和SEM等研究其结构、应力和光电性能与靶基距之间的关系.结果表明:TAZ...
  • 作者:
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  24,35,38,48,57,后插1-后插2,后插17-后插18
    摘要:
  • 作者: 任巍 阎鑫
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  25-27,31
    摘要: 选用乙醇铌.乙酸钾、乙酸钠为原料,通过金属有机盐热分解法制备了Na0.5K0.5NbO3(NKN)无铅压电薄膜.研究了不同退火温度对NKN薄膜的晶体结构和形貌的影响.结果表明:当退火温度低于...
  • 作者: 冯则坤 王鲜 聂彦 邱景 龚荣洲
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  28-31
    摘要: 采用RF溅射工艺制备了FeCoNiB-SiO2系薄膜.研究了Ni添加量对该种薄膜微结构和电磁性能的影响.结果表明,添加适量的Ni有利于FeCoNiB-SiO2薄膜获得优良的微波电磁性能.通过...
  • 作者: 周志刚 王天国 覃群
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  32-35
    摘要: 采用传统的固相法制备了La2O3掺杂的TiO2系压敏陶瓷,通过XRD和SEM分析,测试其结构及压敏性能、介电常数和晶界势垒特性.结果表明:La203掺杂对所获陶瓷的结构和性能有显著的影响,在...
  • 作者: 丁留华 束静
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  36-38
    摘要: 对氧化锌压敏电阻(MOV)样品进行了最大放电电流下的冲击电流寿命试验,得出了每只样品在失效前所能承受的冲击次数;通过对大量样品冲击电流寿命的统计分析,证明了MOV在冲击电流作用下的失效率服从...
  • 作者: 刘心宇 巫秀芳 李擘 袁昌来 赵霞妍
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  39-41,48
    摘要: 以新型BaCo0.05Co0.1Bi0.85O3材料为基体,掺杂不同摩尔分数x(MnO2),在840℃下烧结4 h制备了NTC厚膜电阻.借助XRD、SEM和直流阻温特性测试仪,研究x(Mn0...
  • 作者: 刘心宇 杨华斌 马家峰
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  42-44,48
    摘要: 采用传统固相法,按化学式Sr0.65Bi1-xFe0.35NbxO3(x=0.01,0.02,0.05,0.10和0.20)制备了具有NTC特性的Nb掺杂SrBiFeO基陶瓷试样.研究了Nb...
  • 作者: 于欣伟 任之君 曾婉仪 赵国鹏 陈姚
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  45-48
    摘要: 将由离子交换法制备的SiO2水溶胶进行溶剂置换,得到了乙二醇纳米硅溶胶.借助纳米粒度分析仪,TGA-DSC、FT-IR对溶胶中粒子的粒度分布、溶胶的热稳定性和化学结构分别进行了表征.结果表明...
  • 作者: 张宏 徐晓宙 韩鹏 马亚红
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  49-51
    摘要: 在晶体硅太阳电池制造过程中,铝电极是通过丝网印刷-烘干-烧结制成的.该过程中铝电极膜层与传送网带发生相对摩擦,易导致铝膜表面产生划痕、起灰.重点研究了添加不同质量分数w(硅烷偶联剂)(0.5...
  • 作者: 曾建皇 钟勇湘
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  52-53
    摘要: 采用国产铝箔,在超声波辅助条件下,对铝箔进行交流腐蚀,研究了超声波辅助腐蚀对腐蚀箔比容和力学性能的影响.结果发现:当腐蚀箔保持率为1.63g/dm2,采用磁力搅拌的腐蚀箔比容只有71.8×1...
  • 作者: 吴孟强 周晓华 张树人 彭森 李艳江
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  54-57
    摘要: 依据微带发夹型带通滤波器的原理,进行了数学建模,并结合ADS2008的优化仿真功能对滤波器进行了优化设计.根据仿真结果,在高介电常数的陶瓷基板[MgTiO3-CaTiO3-Nd2O3,εr=...
  • 作者: 郭云胜
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  58-60
    摘要: 根据低温共烧陶瓷技术的特点,提出了一种二阶微波带通滤波器的三维结构设计方法,设计的滤波器结构简单、尺寸小,工作频率可调.按照该设计方法,通过电磁仿真软件AnsofiHFSS 10设计了一款带...
  • 作者: 刘家麟 廖慧敏 张聪正 曾明
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  61-64
    摘要: 采用自制的压入蠕变装置,研究了共晶型Sn-3.7Ag-0.9Zn无铅钎料合金在333~418 K,压入应力为34.1~75.3 MPa时的压入蠕变性能,并获得其稳态压入蠕变速率的本构方程;利...
  • 作者: 安宁宁 梁金 梁齐 王莉 饶晓俊
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  65-68
    摘要: 综述了脉冲激光沉积(PLD)法基于缓冲层制备ZnO薄膜及ZnO纳米棒的研究进展,分析了缓冲层对于生长高质量ZnO薄膜及纳米棒的作用,得到结论:引入缓冲层可以减少沉积物与衬底晶格失配以及热膨胀...
  • 作者: 丘泰 方志远 沈春英
    发表期刊: 2010年10期
    页码:  69-71
    摘要: 从配方、工艺等方面阐述了最近几年钛酸钡系PTC热敏电阻材料的最新研究进展,并且展望了其发展前景.无铅高居里点,片式叠层化、湿化学法制备粉体、金属/陶瓷复合是近几年钛酸钡系PTC热敏电阻材料的...

电子元件与材料基本信息

刊名 电子元件与材料 主编 钟彩霞
曾用名
主办单位 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1001-2028 CN 51-1241/TN
邮编 610051 电子邮箱 journalecm@163.com/zhubei5148@163.com
电话 028-84391569 网址 www.cnelecom.net
地址 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室

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