人工晶体学报期刊
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人工晶体学报

Journal of Synthetic Crystals

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.5027
本刊报道我国在半导体材料、光电子材料、纳米材料、薄膜材料和超硬材料等领域在理论研究、生长技术、性能、品质鉴定、原料制备,以及应用技术和加工等方面的科研成果,同时介绍国内外晶体材料的发展动态与学术交流活动。学报是我国从事人工晶体研究人员与国外同行交流的一个重要窗口。
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
期刊荣誉:
1987年获优秀编辑二等奖  1989年获优秀期刊奖  1997年获全国第二届优秀科技期刊奖 
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
出版周期:
月刊
邮编:
100018
地址:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
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  • 作者: 傅广生 周娴 李庆 李春雷 李晓苇 杨少鹏 江晓利 田晓东 范闪闪
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1227-1231
    摘要: 本文采用微波吸收介电谱检测技术,系统研究了甲酸根离子掺杂的立方体卤化银乳剂在35ps脉冲激光作用下所产生的光电子衰减行为,分析了甲酸根离子的空穴陷阱效应以及光电子衰减特性与掺杂条件的关系.通...
  • 作者: 王桂美 蒋奕雄 陈建中 高绍康
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1232-1237
    摘要: 本文根据经典均匀成核理论,分别研究了硝酸酸沉和盐酸酸沉制备的四钼酸铵过饱和溶液的成核过程,并讨论了过饱和比和温度对成核速率及成核机制的影响.研究结果表明,无论是硝酸酸沉还是盐酸酸沉,四钼酸铵...
  • 作者: 任帅 孙康宁 庞来学
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1238-1241
    摘要: 采用机械合金化和热压烧结制备了TiC/(Ti3Al+ZrO2)复合材料.研究了1550℃烧结温度下,不同Ti3Al含量(10、15、20、25%质量分数)对复合材料烧结及力学性能的影响.结果...
  • 作者: 吴丽军 周德瑞 孙克宁 张乃庆 朱晓东
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1242-1246
    摘要: 镓酸镧基SOFC存在的关键问题是在阳极/电解质界面发生固相反应生成绝缘相,一个根本的解决办法是在阳极与电解质之间制备一层薄且致密的阻挡层La0.3Ce0.7O2-δ(LDC30).本文采用共...
  • 作者: 任忠祥 夏伟 张新 徐现刚 李树强 王翎 马德营
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1247-1250
    摘要: 通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂,制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料,后工艺制备了低阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光器.该激光器阈值电流最低达到6.2mA,这是我...
  • 作者: 孙方宏 薛宏国 陈明 马玉平
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1251-1256
    摘要: 采用改进的预处理方法和变参数沉积工艺在硬质合金刀片上制备了超细晶粒金刚石薄膜涂层.通过玻璃纤维增强塑料的车削试验,研究了薄膜与基体之间的附着强度、涂层刀具的磨损和加工工件的表面粗糙度.试验结...
  • 作者: 叶勤 吴奎 唐振方
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1257-1261
    摘要: 采用气体反应磁控溅射的方法在350℃制备了碳掺杂TiO2薄膜,并对薄膜的结构做了表征与分析. XRD结果显示碳掺杂薄膜为锐钛矿结构,有c轴择优生长趋向,较纯二氧化钛薄膜晶胞c轴有伸长,晶粒膨...
  • 作者: 崔黎黎 徐晓伟 李玉萍 范慧俐
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1262-1264
    摘要: 本文通过共沉淀的实验工艺,以La2O3为基质,Er3+离子为发光中心,Yb3+离子为敏化中心,在前驱体的烧结过程中加入不同量的H3BO3,制备了La-Yb-Er体系发光材料,实验结果显示在1...
  • 作者: 姜付义 杨冬梅 袁春雪 韩建儒
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1265-1267
    摘要: 采用化学溶液分解法(CSD)在Si衬底上制备了Sm0.5Bi3.5Ti3O12 (SmBT0.5)薄膜.用X射线衍射技术分析了薄膜的结构和结晶性,用原子力显微镜描述了薄膜的表面形貌;并研究了...
  • 作者: 吉晓瑞 宫希亮 张铁臣 杜勇慧 杨大鹏 杨旭昕 苏作朋
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1268-1271
    摘要: 本文在hBN-Li3N体系中添加不同含量的单质硼(B),研究了cBN晶体在富B条件下的生长特性.结果表明,B进入晶体的位置具有明显的区域选择性.B以占据N(111)面内N空位的方式进入晶体,...
  • 作者: 任晓敏 俞重远 刘玉敏 封强
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1272-1276
    摘要: 半导体自组织生长量子点是一种新型半导体材料,它在纳米电子学、光电子学和生命科学中有广泛的应用前景,本文讨论了计算机模拟量子点的生长在材料设计中的重要意义,建立动力学蒙特卡罗二维模型, 通过获...
  • 作者: 严有为 谢鸿 陈哲
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1277-1282
    摘要: 以聚乙二醇(PEG)为改性剂,采用溶液燃烧法成功制备了准球形的PDP用BaMgAl10O17:Eu2+(BAM)蓝色荧光粉.通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM...
  • 作者: 刘辉 李平 胡进勇 魏雨
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1283-1286,1261
    摘要: 本文研究了在沸腾回流条件下以Fe(OH)3凝胶为前驱物、以微量Fe(II)为催化剂制备α-Fe2O3纳米微粒的过程,探讨了各种因素对产物的影响.结果表明:足够快的升温速率(>4℃/min)和...
  • 作者: 刘绪伟 卢景霄 杨仕娥 赵剑涛 郜小勇 陈永生
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1287-1290
    摘要: 采用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在不同衬底温度Ts下沉积了氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并深入研究了衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响.研究结果表明随着衬底温度的升高,表...
  • 作者: 宋红 张庆宝 耿新华 魏长春
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1291-1295
    摘要: 采用直流磁控溅射法制备了析氢反应的电极材料-NiFe,CoMo,研究了在1.0Pa~4.0Pa的范围内,不同溅射腔气压条件下制备的电极材料的晶粒尺寸、析氢反应的过电位与气压的关系,结果显示过...
  • 作者: 吴秀梅 欧阳建明 王青豪 郑辉
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1296-1300
    摘要: 采用扫描电子显微镜、X射线衍射法和红外光谱在草酸钙(CaOxa)结石患者尿液中研究了从海带中提取的硫酸多糖(LSPS)的防石作用.结果表明,LSPS可以抑制一水草酸钙(COM)的成核和聚集,...
  • 作者: 孙建 宋红 张庆宝 耿新华 薛俊明
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1301-1306
    摘要: 采用对靶直流磁控溅射设备制备镍铁氧化物催化薄膜,研究了溅射气压与催化薄膜的结构、表面形貌、过电位、电阻率及生长速率之间的关系.实验结果显示在溅射气压从0.5Pa到4.0Pa的范围内变化时,随...
  • 作者: 夏长泰 徐军 杨秋红 裴广庆 赵绪然
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1307-1312
    摘要: 本文介绍了液相外延技术在制备硅材料、碲镉汞材料、石榴石型单晶材料、III-V族半导体材料和其他一些无机材料方面的应用,简述了液相外延技术近十多年来在系统改善、工艺改进和相关理论研究方面的成果...
  • 作者: 任慧志 孙建 张德坤 耿新华 薛俊明 赵颖 陈新亮
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1313-1317
    摘要: 本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响.XRD和SEM的研究结果表明,随着薄膜厚度的增加,ZnO薄膜(110)峰趋于择优取向,且晶粒逐渐长大,薄膜从球...
  • 作者: 张丽伟 张宇翔 李红菊 杨根 赵剑涛
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1318-1321
    摘要: 本文用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃衬底、未织构的氧化锌掺铝(AZO)覆盖的普通玻璃衬底和石英衬底上室温下制备了微晶硅薄膜.然后用快速光热退火炉(RTP)在600℃下...
  • 作者: 张萌 肖宗湖
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1322-1327,1331
    摘要: 在ZnO发光材料中存在的各种结构缺陷是制约ZnO发光性能的一个关键因素.本文总结了ZnO薄膜材料中可能存在的缺陷类型,并就点缺陷的性质及其对发光性能影响的研究现状做了重点评述.对ZnO薄膜发...
  • 作者: 关树海 刘景和 段安锋 沈永宏 罗劲松 范翊
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1328-1331
    摘要: 采用坩埚下降法生长了CaF2单晶体,研究了不同条件生长的单晶缺陷和光谱性能.结果表明:当晶体生长过程中进入水等含氧杂质时,所生长的晶体不仅在1500nm附近产生非常宽的OH-两倍振动吸收带,...
  • 作者: 孙建 张存善 张晓丹 王锐 范红兵 赵颖 魏长春
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1332-1336
    摘要: 本文主要采用超声喷镀法在玻璃衬底上制备了N-Al共掺的p型ZnO薄膜.研究了前驱溶液的不同配比对薄膜电学、结构特性的影响.X射线衍射的结果显示:共掺与本征ZnO具有很相似的结晶特性.霍耳测试...
  • 作者: 刘绪伟 吴芳 王子健 赵剑涛 郜小勇
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1337-1340
    摘要: 采用磁控反应溅射法,分别在室温和90℃条件下制备了两个系列的氧化银薄膜,其中氧氩比从1:4变化到2:1. SEM表明薄膜中的氧化银纳米颗粒尺寸均小于30nm.XRD表明随制备温度的提高AgO...
  • 作者: 尹端沚 徐万帮 汪勇先 许荣辉 贾广强
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1341-1345
    摘要: 用硫脲、聚乙烯吡咯烷酮、L-半胱氨酸水溶液对水热法合成的硫化镉纳米晶进行稳定化处理,发现L-半胱氨酸和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)能有效地稳定硫化镉纳米晶,荧光发射强度比处理前增强了五十倍以上....
  • 作者: 卢贵武 夏海瑞 张军 王春雷 韩胜元
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1346-1350
    摘要: 本文使用从头计算平面波赝势法计算了尿素晶体的电子能带结构、线性和非线性光学系数,折射率和倍频系数的计算结果与实验结果基本符合.计算发现尿素晶体中C、N和O元素的2p轨道电子态发生了明显杂化,...
  • 作者: 谢凯 韩喻
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1351-1354
    摘要: 本文提出了一种两套晶格嵌套的全新纯二维嵌套复式周期光子晶体结构,并通过理论计算获得了外周期结构调制禁带位置,内周期的细微结构通过填充率的改变和结构的周期效应调制禁带宽度的新型禁带特性,从理论...
  • 作者: 刘绪伟 卢景霄 吴芳 李红菊 杨根 王子健 王海燕 郜小勇
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1355-1358,1367
    摘要: 在本实验中我们利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了ZnO:Al透明导电膜,并对所得样品在400℃下进行了退火处理.利用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌,利用分光光度计分析了样品的光学性质,...
  • 作者: 刘文 孙秀明 敬守勇 杨帆 武红磊 罗飞 郑瑞生
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1359-1362
    摘要: 在氮化铝晶体生长工艺中,坩埚的使用寿命是主要技术难点之一.实验发现,在钨坩埚体和盖之间放置内径和外径与坩埚相同的石墨环,在氮气环境下进行一次高温处理,使钨坩埚体与盖接触的部位形成碳化钨保护层...
  • 作者: 沙欧 许兴友 钱保华 陈军 马卫兴
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1363-1367
    摘要: 以乙酸锌、正丁胺及水杨醛为原料在甲醇介质中反应,合成得到了席夫碱配合物N-亚水杨基正丁胺锌[Zn(CH3CH2 CH2CH2N=CHC6H4O)2],用元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱和热重...

人工晶体学报基本信息

刊名 人工晶体学报 主编 张伟儒
曾用名
主办单位 中材人工晶体研究院有限公司  主管单位 中国建筑材料联合会
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1000-985X CN 11-2637/O7
邮编 100018 电子邮箱 jtxbbjb@126.com
电话 010-65491290 ;65492963 网址 www.jtxb.cn
地址 北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱

人工晶体学报评价信息

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人工晶体学报统计分析

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