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人工晶体学报2010年第4期出版文献

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人工晶体学报

投稿

Journal of Synthetic Crystals

CA JST CSTPCD

影响因子 0.5027

本刊报道我国在半导体材料、光电子材料、纳米材料、薄膜材料和超硬材料等领域在理论研究、生长技术、性能、品质鉴定、原料制备，以及应用技术和加工等方面的科研成果，同时介绍国内外晶体材料的发展动态与学术交流活动。学报是我国从事人工晶体研究人员与国外同行交流的一个重要窗口。

主办单位：

中材人工晶体研究院有限公司

期刊荣誉：

1987年获优秀编辑二等奖 1989年获优秀期刊奖 1997年获全国第二届优秀科技期刊奖

ISSN：

1000-985X

CN：

11-2637/O7

出版周期：

月刊

邮编：

100018

地址：

北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱

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热门刊内文献

年度刊次

1. 坩埚下降法生长钨酸镉闪烁单晶的晶体缺陷

作者：方奇术梁哲沈琦王苏静肖华平蒋成勇陈红兵

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 829-833

摘要：采用坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过光学显微镜、电子探针观察分析了所获CdWO4单晶的典型晶体缺陷,包括晶体开裂、丝状包裹物和晶体黑化.结果表明,CdWO4单晶存在显著的解理特性,...
2. ZnGeP2单晶生长与安瓿设计研究

作者：何知宇徐婷朱世富梁栋程范强赵北君陈宝军

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 834-837,845

摘要：根据晶体自发成核几何淘汰规律,结合ZnGeP2晶体的结晶习性,研究设计出生长完整ZnGeP2单晶体的双层镀碳石英安瓿,其关键技术参数为:安瓿长径比6～7,籽晶袋长度≥25 mm,安瓿主体与籽...
3. Zn3BPO7晶体的THz和红外吸收光谱

作者：侯碧辉史祎诗杨玉花王雅丽

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 838-841

摘要：本文研究了Zn3BPO7(ZBP)晶体的THz时域光谱以及从中红外到远红外的吸收光谱,以及6.6 cm-1 (0.2 THz)～4000 cm-1宽频段的红外光谱光学性质.THz吸收光谱表明...
4. ECR-PECVD制备n型微晶硅薄膜的研究

作者：冯煜东吴爱民岳红云张学宇胡娟闻立时

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 852-856

摘要：用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料.通过Hall,Raman光谱和XRD的测试分析,研究了衬底温度和磷烷流量对掺杂薄膜组织结构和电学...
5. 结构缺陷对HgI2晶体光吸收的影响

作者：介万奇李高宏许岗

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 872-877

摘要：为研究HgI2晶体结构缺陷与光吸收的关系,测试了晶体的UV和中红外透过光谱.结果表明,波长约为580 nm时,存在着本征吸收限;波长大于580 nm时,随波长增加,晶体对光的吸收减小,透过率...
6. Fe/Si多层膜亚层厚度比对β-FeSi2薄膜结构和表面形貌的影响

作者：刘恋慈张娟李斌斌江丰沈洲沈鸿烈鲁林峰

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 883-887

摘要：采用射频磁控溅射方法,在Si(111)和石英衬底上制备了Fe/Si亚层厚度比不同的多层膜.多层膜的总厚度为252 nm,Fe/Si亚层厚度比分别为1 nm/3.2 nm、2 nm/6.4 n...
7. FeMn粉末触媒制备及金刚石合成条件的研究

作者：张少明徐骏朱学新赵文东赵新明

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 888-894,905

摘要：利用气雾化法制备了FeMnX1、FeMnX2NiY2、FeMnX2CoY2(X1=X2+Y2,X2＞Y2,0＜Y2≤10)粉末触媒.利用金相显微镜、扫描电镜和X射线衍射仪对粉末进行了表征.分...
8. 直流电弧等离子体区域电弧分布特征对自支撑金刚石膜性质的影响

作者：刘金龙吕反修李成明王李梅陈良贤黑立富

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 900-905

摘要：直流电弧等离子体喷射法制备自支撑金刚石膜时,电弧区域可分为弧心、弧干和弧边三个区域.本文运用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、激光Raman光谱、正电子湮没寿命谱(PAL)和力...
9. 新型稀土发光材料Sr3-xMgSi3O10:Tb3+x的合成及性质

作者：冯仕华刘亚红张张王欣翟永清

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 906-911

摘要：采用凝胶-燃烧法,在活性炭弱还原气氛下合成了新型荧光粉Sr3-xMgSi3O10: Tb3+x,通过热分析仪、红外光谱、X射线粉末衍射、X射线能量色散谱仪及荧光分光光度计等对产物的形成过程、...
10. 氧化锡纳米晶的合成与生长

作者：庄永龙徐加荣戚梦瑶朱克荣

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 912-916

摘要：采用水热法制备了氧化锡纳米晶,通过X射线衍射仪(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)对氧化锡纳米晶样品的晶体结构、晶粒形貌进行了表征,并研究了氧化锡纳米晶生长和位错的产生机制.结果表明:在...
11. 溶胶-凝胶法制备钛酸铝薄膜及其抗熔盐腐蚀性能

作者：于云冯果刘健敏江伟辉谭训彦

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 917-921

摘要：以钛酸四丁酯和硝酸铝为原料,乙醇为溶剂,通过溶胶-凝胶法在碳化硅基片上制备钛酸铝薄膜.借助DSC-TG、XRD、FE-SEM和SEM研究了钛酸铝干凝胶在热处理过程中的热重效应与相变化、薄膜的...
12. 共沉淀法制备Co掺杂纳米ZnO及其表征

作者：李平王莎秦玫魏雨

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 926-930

摘要：以ZnCl2、CoCl2和NaOH为原料,采用共沉淀法制备了纯ZnO和Co掺杂ZnO(ZnO: Co)纳米粉体.利用XRD、EDS和FESEM对样品的结构和形貌进行了表征,利用光致发光光谱(...
13. 五羰基铁催化热解合成碳纳米管

作者：丁兆勇孙保民许秉浩

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 936-940,944

摘要：以氧炔焰为热源,CO为碳源,五羰基铁为催化剂前驱体合成碳纳米管,通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和高分辨率透射电子显微镜(HR-TEM)对实验样品进行表征.为了详细研究合成时间对实验...
14. 用FeNiMn55#粉末触媒合成工业金刚石

作者：左桂鸿秦杰明贾晓鹏郑友进马红安马艳平

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 941-944

摘要：利用FeNiMn55#粉末触媒在国产六面顶压机上进行工业金刚石单晶的合成,研究高温高压条件下(5.7 Gpa,1400～1600 ℃),C-FeNiMn55#粉末触媒体系中金刚石单晶的生长特...
15. 钛酸铅钡铁电薄膜的光学性能研究

作者：宝音张琳肖顺华

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 951-955,960

摘要：采用溶胶-凝胶工艺在石英衬底上制备了Pb1-xBaxTiO3(BPT,x=0～1)铁电薄膜.利用X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱(Raman)对薄膜的相变特性、晶粒尺...
16. 八足状PbS树枝晶的水热合成及演变

作者：孙梅朱绍峰胡寒梅邓崇海

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 956-960

摘要：以Pb(NO3)2和KSCN为原料,水为溶剂,采用水热法制备出了三维的八足状PbS树枝晶.XRD测试表明粉体为面心立方结构,结晶性好;SEM照片显示粉体为八足状的三维超结构,每足的平均长度5...
17. 温度对SiO2表面上磁控溅射制备Ge纳米点的生长模式和尺寸的影响

作者：夏中高李亮杨宇王茺鲁植全

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 961-965

摘要：采用磁控溅射技术在SiO2/Si(100)表面上制备了一系列不同生长温度的Ge纳米点样品.原子力显微镜(AFM)的实验结果表明:不同衬底温度下Ge纳米点在SiO2薄膜上的生长模式和尺寸分布有...
18. 六面顶压机合成金刚石加热规律研究

作者：伊鹏刘衍聪郭欣

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 966-971,976

摘要：利用有限元方法建立了六面顶压机合成金刚石环境热电耦合模型,对直热式腔体温度变化规律进行了分析.研究表明:合成腔温度的建立快慢及终态温度主要由加热初期的加热功率和叶腊石热导率决定,不同的匹配组...
19. 溅射功率对直流磁控溅射法沉积TGZO薄膜性能的影响

作者：刘汉法史晓菲王新峰郭美霞

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 972-976

摘要：利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了高质量的钛镓共掺杂氧化锌(TGZO)透明导电薄膜.研究了溅射功率对TGZO薄膜结构、形貌和光电性能的影响.研究结果表明:溅射功率对TGZO薄膜的...
20. 不同尺寸铁酸镍纳米晶体的水热合成

作者：刘倩刘鹏吕丽周剑平朱刚强边小兵陈险峙

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 977-981,987

摘要：通过改变碱浓度和表面活性剂种类,采用水热法在0～7 mol/L NaOH的宽碱浓度下制备出纯相铁酸镍(NiFe2O4)纳米晶体.利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透...
21. DyxEr3-xAl5O12稀土铝酸盐材料的固相合成

作者：刘正威喻翔尹少波张雷彭鹏房明浩陈树森

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 993-996,1007

摘要：以Dy2O3、Er2O3、Al2O3氧化物为原料,利用固相合成法在1500～1700 ℃下合成了DyxEr3-xAl5O12(x=0、1、2、3)稀土铝酸盐材料.分析了其物相组成并初步探讨了...
22. In2O3纳米粉体的制备及其气敏性能研究

作者：冉伟丽娄向东李培王学锋王晓兵

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 1002-1007

摘要：以In(NO3)3·4.5H2O为原料,采用室温固相合成法、化学共沉淀法、均匀沉淀法、溶胶-凝胶法、微乳液法、水热法等六种不同方法制备In2O3纳米粉体.通过XRD、SEM、TEM等手段对粉...
23. 高发射率红外辐射涂料的制备与性能研究

作者：张全胜徐莹鑫税安泽蔡洪兵许林峰陈培鑫

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 1008-1013

摘要：以价格低廉的过渡金属氧化物Fe2O3和MnO2为主要原料,辅以少量的CuO和Co2O3,在还原气氛下制备了红外辐射基料.在此基础上,添加一定量的堇青石和硅溶胶、三氧化二铝、三氧化二铬等粘结剂...
24. 电子束蒸发制备PbI2膜及其光学性能研究

作者：孙辉朱兴华李乐中杨军杨定宇高秀英魏昭荣

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 1019-1024

摘要：采用电子束蒸发法制备PbI2膜,研究不同工艺参数对制备样品光学性质的影响.结果表明,制备样品属于六方相多晶结构,随衬底温度的升高,样品中的I元素含量降低并趋于理想化学配比.随着衬底温度的升高...
25. 超声辅助法控制合成三方相硒纳米管

作者：张旭甘自保赵爱华郑秀文魏代玲

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 1030-1034

摘要：通过将水热反应制备的非晶态硒(a-Se)球形纳米粒子分散在无水乙醇中进行超声,成功地合成了三方相硒(t-Se)纳米管.分别用扫描电子显微镜(SEM)和X射线粉末衍射仪(XRD)对样品的形貌和...
26. 微波辅助共沉淀法制备SrCO3:Eu3+红色荧光粉

作者：刘军刘君玉孙蓉康明燕文清

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 1049-1054

摘要：采用微波辅助共沉淀法制备SrCO3: Eu3+红色荧光粉,并利用XRD、SEM和PL-PLE分别对样品SrCO3: Eu3+的物相、形貌和发光性能进行表征.研究了激发波长以及Eu3+浓度对样...
27. SiC单晶片ELID超精密磨削氧化膜特性研究

作者：朱育权李言肖强

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 1055-1059

摘要： SiC单晶片的材质既硬且脆,加工难度很大,通过ELID磨削技术超精密加工SiC单晶片是一种高效的加工方法,而氧化膜的特性是ELID磨削技术的关键.本文研究了ELID磨削中氧化膜的形成规律,基...
28. 分形理论在硅酸锌系结晶釉研究中的应用

作者：苗立锋郑乃章黄荣

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 1060-1066

摘要：本实验对采用不同工艺条件(析晶温度、析晶保温时间、釉层厚度)制备出具有晶花形貌的硅酸锌系结晶釉,应用分形理论对其晶花形貌进行了研究.结果发现该结晶釉的晶花形貌具有良好的分形特征,并且分形与制...
29. Cu-N共掺杂ZnO体系的稳定性,电子结构和磁性的第一性原理研究

作者：梁培马新国

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 1067-1071

摘要：采用第一性原理框架下的全势缀加平面波方法研究了Cu-N共掺杂的ZnO体系的电子结构和磁学性能.基于总能的计算表明,Cu-N共掺杂体系在基态下具有稳定的铁磁性,这个铁磁性的起源可以利用双交换理...
30. 直径300 mm氟化钙晶体的生长

作者：任绍霞刘晓阳史达威彭明林甄西合葛云程

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2010年4期

页码: 1087-1088

摘要：通过化学处理提纯晶体原料,采用模拟软件设计合理的温场结构,在系统实验优化晶体生长工艺的基础上,采用改进的坩埚下降生长方法(布里奇曼法)成功地生长出直径300 mm的CaF2晶体.CaF2晶体...

人工晶体学报基本信息

刊名	人工晶体学报	主编	张伟儒
曾用名
主办单位	中材人工晶体研究院有限公司	主管单位	中国建筑材料联合会
出版周期	月刊	语种	chi
ISSN	1000-985X	CN	11-2637/O7
邮编	100018	电子邮箱	jtxbbjb@126.com
电话	010-65491290 ;65492963	网址	www.jtxb.cn
地址	北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱