人工晶体学报期刊
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人工晶体学报

Journal of Synthetic Crystals

CAJSTCSTPCD

影响因子 0.5027
本刊报道我国在半导体材料、光电子材料、纳米材料、薄膜材料和超硬材料等领域在理论研究、生长技术、性能、品质鉴定、原料制备,以及应用技术和加工等方面的科研成果,同时介绍国内外晶体材料的发展动态与学术交流活动。学报是我国从事人工晶体研究人员与国外同行交流的一个重要窗口。
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
期刊荣誉:
1987年获优秀编辑二等奖  1989年获优秀期刊奖  1997年获全国第二届优秀科技期刊奖 
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
出版周期:
月刊
邮编:
100018
地址:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
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  • 作者: 丁守军 刘文鹏 孙贵花 张庆礼 李秀丽 王小飞 窦仁勤 罗建乔 赵义平
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  1987-1992
    摘要: 为探索新型激光材料,采用高温固相反应法合成了(1at%) Nd∶ YTaO4多晶粉末,研究了其结构与发光性质.利用Rietveld方法对样品的X射线衍射谱进行精修得到晶胞参数、原子坐标等.测...
  • 作者: 张彦 张敬富 张鹏 杜飞 栗茹 殷洁 潘尚可 潘建国
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  1993-1997
    摘要: 以高温固相反应法合成了Ce∶ CdGd2 (WO4)4和CdGd2(WO4)4多晶料原料,采用提拉法生长出了Ce∶ CdGd2(WO4)4和CdGd2(WO4)4晶体.测量了紫外可见透过光谱...
  • 作者: 王金良 秦韶阳 薄乾红 陈亚婷 陈泽升
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  1998-2002,2010
    摘要: 通过金属催化化学刻蚀的方法中的两步法制备出了具有阵列结构的硅纳米线,研究了不同刻蚀条件对硅纳米线形貌的影响,分析了形成不同形貌的原因.测定了不同条件下制备的硅纳米线的光吸收性能,总结了影响光...
  • 作者: 刘丰珍 周玉荣 郭宇坤 陈瑱怡 马宁
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2003-2010
    摘要: 采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术在低温条件下(100℃)制备超薄(~30 nm)的硼掺杂硅薄膜.系统研究了氢稀释比例RH对薄膜的微结构和电学性能的影响.当RH由55增加至115,薄膜的...
  • 作者: 付盈 单法宪 吴以成 张国春 李凯
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2011-2015
    摘要: 通过顶部籽晶法生长出掺5%和8%Sr2+的La2CaB10O19(LCB)晶体,ICP测得LCB晶体中Sr2+掺入量分别为1.75%和2.02%.XRD证实Sr2+的掺入对LCB晶体晶胞参数...
  • 作者: 李勇 李响 李婷 李盼来 杨志平 王志军 田植 白琼宇 袁小先
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2016-2021
    摘要: 采用高温固相法制备了Eu3+掺杂的KMgLa(PO4)2荧光粉.采用X射线衍射技术及光谱技术研究了材料的晶相及发光特性.研究结果显示,少量的Eu3+并未影响KMgLa(PO4)2的晶相;以2...
  • 作者: 左朝朝 左然 张国义 童玉珍
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2022-2027,2033
    摘要: 采用基于密度泛函理论的Materials Studio中的CASTEP模块,对金属有机物气相外延MOVPE生长m面GaN薄膜的表面反应前体的吸附过程进行研究.针对吸附粒子GaCH3和NH3在...
  • 作者: 刘晓晨 唐伟忠 姜龙 孙振路 安晓明 李义锋 苏静杰
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2028-2033
    摘要: 介绍了自行研制的环形天线-椭球谐振腔式高功率MPCVD装置的结构特点,展示并研究了新装置在高功率条件下的放电特性.在10.5 kW的高微波输入功率下成功制备了直径50 mm,厚度接近1 mm...
  • 作者: 张钦辉 徐超 朱逢锐 林玉娥 甄西合
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2034-2038
    摘要: 对氟化钙晶体生长炉的顶部保温、加热器和下保温装置进行了改进研究.结合数值模拟,对改进前后晶体的轴向温度梯度、径向温度梯度和固液界面附近温度分布进行了对比分析.模拟结果表明,改进了顶部保温后增...
  • 作者: 刚建航 曹立新 苏革 董博华 赵稳稳 郭增龙 高荣杰
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2039-2043,2049
    摘要: 采用胶体化学法,以氧化钨(W18O49)为钨源制备出花状硒化钨纳米晶.采用透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和X射线衍射(XRD)手段对硒化钨纳米晶进行表征.本文对硒化钨...
  • 作者: 杨培志 杨雯 袁俊宝 赵飞 陈小波
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2044-2049
    摘要: 采用磁控共溅射沉积法,以Si靶和SiC靶为靶材,单晶Si(100)和石英为衬底,在不同衬底温度下沉积了富硅SiCx薄膜.在氮气氛下于1100 ℃退火,得到包含硅量子点的SiCx薄膜.采用傅立...
  • 作者: 冯晓静 曹红霞 霍冀川
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2050-2055,2060
    摘要: 采用St(o)ber法在醇-水混合体系中,以正硅酸乙酯(TEOS)作为硅源,在氨水催化作用下制备SiO2纳米微球,分析了不同浓度的氨水、TEOS、乙醇和温度对SiO2微球形貌及粒径的影响,并...
  • 作者: 张程浩 李明勇 狄杰建 王大伟 谭培培 谭晓兰 赵全亮
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2056-2060
    摘要: 采用磁控溅射法在LaNiO3/Si衬底上制备了6%Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-94% Pb(Zr0.52 Ti0.48) O3 (PMnN-PZT)铁电薄膜,对其微结构和铁电特性进行了...
  • 作者: 张超 李微 杨立 邓朝文
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2061-2066
    摘要: 严重的开路电压损耗是限制铜锌锡硫(硒)薄膜太阳电池性能提升的关键问题,其吸收层和缓冲层界面的能带结构有待进一步优化.针对此问题,本文对CZTSe/Cd1-xZnxS界面的能带结构进行了研究....
  • 作者: 李浩 李淑娟 王嘉宾 麻磊
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2067-2073
    摘要: 采用Box-Behnken Design (BBD)设计实验,研究高速线锯切割过程中线锯速度、进给速度和工件转速三个工艺参数对单晶Si切割力的影响,通过曲面响应法(Response surf...
  • 作者: 刘廷禹 姜威 孙羽 孙颖
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2074-2078,2096
    摘要: 基于密度泛函理论平面波赝势法对LaBr3晶体本征点缺陷进行了系统研究.通过第一性原理和热动力学方法,计算得到了不同温度及溴分压下LaBr3晶体中本征点缺陷的缺陷形成能,并讨论了不同环境条件下...
  • 作者: 吴红玉 周传仓 张久兴 张飞鹏 房慧 李凡生 杨新宇 黄灿胜
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2086-2090
    摘要: 采用水热法制备了纳米带状结构的Zn3 V2O8多晶粉体,并对Zn3 V2 O8漫反射光谱以及发射谱、激发谱进行了分析.结果表明,在230 ~450 nm波长范围为全吸收,激发谱上有一个宽带激...
  • 作者: 任秀峰 周园 孙艳霞 曾金波 李松 海春喜 申月
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2091-2096
    摘要: 以六水合氯化镁(MgCl·6H2O)为原料,以尿素为沉淀剂,采用改进的多元醇法制备了颗粒均匀、分散性好的纳米氧化镁粒子,并分别研究了反应温度和反应时间对前驱体和MgO粉体结构和形貌的影响.研...
  • 作者: 刘文斌 刘永广 康爱国 张少飞 李良辉
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2097-2100,2107
    摘要: BaTiO3陶瓷材料作为一种重要的介电材料被广泛应用于诸多领域,其尺寸效应也被广泛的研究.试验发现不同频率下BaTiO3陶瓷材料的电阻率的随晶粒尺寸变化而变化,由此提出一个BaTiO3陶瓷等...
  • 作者: 刘世斌 刘冬冬 史文静 张鼎 徐守冬 王忠德
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2101-2107
    摘要: 采用草酸前驱体法和传统固相法分别合成了钠离子电池正极材料镍锰酸钠(NaNi0.5Mn0.5O2),并通过XRD,SEM,恒流充放电测试,电化学阻抗图谱(EIS)和循环伏安(CV)等测试方法,...
  • 作者: 卢丽萍 闫娟枝
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2108-2112
    摘要: 用氯化亚锡和1,10-邻菲咯啉(phen)在酸性条件下自组装合成了一维爬梯式[SnⅡ(t-Cl)2(phen)]n(1),元素分析,红外光谱进行了常规表征,同步辐射光源衍射结构分析表明配合物...
  • 作者: 孙霄霄 张冰 李聪 郑友进
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2118-2124
    摘要: 采用密度泛函理论下的平面波超软赝势方法和杂化泛函理论下的模守恒赝势方法,分别计算了未掺杂ZnO和两种La掺杂浓度的ZnO模型,其中对较高La掺杂浓度的计算还设置了两种不同的掺杂位置.结构优化...
  • 作者: 张丽娜 谭淼 郜梦迪 陶虹秀
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2125-2129
    摘要: 硫化锑(Sb2S3)是一种性质稳定的V-Ⅵ族直接带隙半导体材料,地壳中含量丰富、安全无毒.由于Sb2S3具有较高的光吸收系数(α≈105 cm-1),并且带隙宽度适中、易于调控(1.5 ~2...
  • 作者: 杜香容 涂超 谢林华
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2130-2134
    摘要: 基于晶体场理论和电荷转移机制,采用双旋-轨耦合参量模型的3d1离子在D4h对称的晶场中自旋哈密顿参量的高阶微扰公式和晶场能级公式,计算了(ZnKPO4·6H2O)∶ VO2+晶体的光吸收谱和...
  • 作者: 李富强 杜成江 马孝瑜 马爱琼
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2135-2140,2146
    摘要: 以硝酸铁、硝酸锌为原料,柠檬酸为络合剂,采用溶胶-凝胶法制备了尖晶石型ZnFe2 O4粉体.通过热重-差热分析(TG-DTA)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(ED...
  • 作者: 任晓霞 郑瑞伦 高君华
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2141-2146
    摘要: 用水热法制备了氢氧化镍超级电容器材料,对它的充放电电流强度随时间的变化进行测试分析,确定变化规律的解析式.在此基础上,应用速度反应理论,得到放电电流强度的半衰期tm、衰减常数β随温度等的变化...
  • 作者: 冯威 宋慧瑾 朱伦 朱晓东 王明坤 王耀翰 莫小波
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2147-2151
    摘要: 以钛酸丁酯为原料,采用溶胶凝胶法合成了纯TiO2与Nd掺杂TiO2纳米粉体,对其进行了350℃至850℃的热处理.利用XRD、SEM、和EDS对粉体的晶型结构,微观形貌和元素成分进行表征,研...
  • 作者: 张国恒 更藏多杰 陈万军 陈彦 马书懿
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2152-2155,2171
    摘要: 用射频磁控溅射方法在硅片上制备了Zn0.93Fe0.07O薄膜,并在空气中用不同温度进行热处理,利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对其微结构、表面和断面形貌进行测试.结果表明,薄膜沿c轴方向择...
  • 作者: 李义奇 王升高 王戈明 邓泉荣 陈恋
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2156-2159
    摘要: 通过向TiO2粉体中加入质量分数为1%~15%的Ga2O3粉末,制备了Ga掺杂的TiO2陶瓷靶,并采用脉冲激光沉积法(PLD)用陶瓷靶制备出TiO2薄膜,将薄膜于800~1000℃下退火.对...
  • 作者: 张智亮 李红良 柴志平 田大勇 贾太轩 路春霞
    刊名: 人工晶体学报
    发表期刊: 2016年8期
    页码:  2160-2166
    摘要: 采用甲醇钠为催化剂,乙醇为溶剂,对甲基苯乙酮、三氟乙酸乙酯催化合成了中间体4,4,4-三氟-1-(4-甲苯基)-1,3-丁二酮.中间体和对肼基苯磺酰胺盐酸盐发生环合反应得到粗品塞来昔布(Ce...

人工晶体学报基本信息

刊名 人工晶体学报 主编 张伟儒
曾用名
主办单位 中材人工晶体研究院有限公司  主管单位 中国建筑材料联合会
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1000-985X CN 11-2637/O7
邮编 100018 电子邮箱 jtxbbjb@126.com
电话 010-65491290 ;65492963 网址 www.jtxb.cn
地址 北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱

人工晶体学报评价信息

期刊荣誉
1. 1987年获优秀编辑二等奖
2. 1989年获优秀期刊奖
3. 1997年获全国第二届优秀科技期刊奖

人工晶体学报统计分析

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