衬底温度对含硅量子点的SiCx薄膜结构及其光学特性的影响

• 作者: 杨培志 杨雯 袁俊宝 赵飞 陈小波
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 衬底温度 硅量子点 SiCx薄膜 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 页码范围: 2044-2049
• 页数: 6页
• 分类号: O484.5
• 字数: 4010字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控共溅射沉积法,以Si靶和SiC靶为靶材,单晶Si(100)和石英为衬底,在不同衬底温度下沉积了富硅SiCx薄膜.在氮气氛下于1100 ℃退火,得到包含硅量子点的SiCx薄膜.采用傅立叶变换红外吸收光谱、拉曼光谱、掠入射X射线衍射和吸收谱对退火后的SiCx薄膜进行了表征.结果表明:当衬底温度从室温(25℃)升至300℃时,薄膜的晶化率增至71.3％,硅量子点尺寸增至8.9 nm,而光学带隙则减至2.42 eV;随着衬底温度进一步升高,薄膜的晶化率降至63.1％,硅量子点尺寸减小至7.3 nm,而光学带隙却增加至2.57 eV;当衬底温度从室温(25℃)升至400℃时,薄膜的吸收系数呈先增大后减小趋势.在本实验条件下,最佳衬底温度为300℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈小波	云南师范大学太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	24	17	2.0	3.0
3	袁俊宝	云南师范大学太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	3	4	1.0	1.0
4	杨雯	云南师范大学太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	12	14	2.0	3.0
7	赵飞	云南师范大学太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	2	3	1.0	1.0