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微电子学2016年第2期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 基于SMIC 65 nm CMOS工艺,设计了一种带二进制校正的10位100 MS/s逐次逼近型模数转换器(SAR ADC),主要由自举开关、低噪声动态比较器、电容型数模转换器(C-DAC)...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 实现了一种用于心电信号采集的动态调整工作模式的低功耗24位△-∑ADC.采用3阶5位的调制器结构,高速模式下,SNR达到120.4 dB,ENOB为19.71位;低速模式下,SNR为108....
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 基于SMIC 65 nm CMOS工艺,设计了一种10位120 MS/s逐次逼近A/D转换器.电路为1.2V电源供电,采用基于单调转换方式的改进型低功耗D/A电容阵列,相比于传统电容阵列,功...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 设计了一种精度可编程的低功耗逐次逼近型模数转换器(SAR ADC).采用电阻电容混合结构的数模转换(DAC)阵列,通过对低位电阻阵列的编程控制,实现了12,10,8位的转换精度,对应不同的精...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 为了高效处理宽带非恒包络信号,利用宽带包络信号功率主要集中在低频部分的特性,结合线性放大器和开关类放大器的优势,设计了一个宽带包络跟踪放大器.该放大器由一个宽带线性级和一个受线性级控制的高效...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 针对传统A类两级运算放大器摆率受限的情况,提出了一种新型的AB类两级CMOS运算放大器.仅通过增加一个电阻和电容,就实现了传统A类运算放大器向AB类运算放大器的转变,以及对输出级静态电流的精...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 对低噪声放大器线性度提高的方法进行分析.基于导数交叠法,使两个晶体管偏置在不同区域,并利用这两个晶体管源端产生的相位差,抵消了3阶项电流.采用TSMC 90 nm CMOS 工艺,实现了一款...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种应用于WLAN的高线性度CMOS AB类功率放大器.电路采用两级结构和片外匹配网络.为了实现高线性度,采用电容补偿技术,并选择合适的偏置...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 介绍了一种简单的具有谐波调谐功能的输出匹配网络,可实现2次谐波短路和3次谐波开路.利用该输出匹配网络,基于InGaP/GaAs HBT工艺,设计了一个工作于2 GHz的高效率F类功率放大器,...
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10. 对数放大器直流漂移抑制方法研究刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 为了解决对数放大器严重的直流漂移问题,以L-17D为典型对象,分析了对数放大器的工作原理以及导致其直流漂移的机理,提出了3种实用的对数放大器直流漂移抑制方法,将其直流漂移控制在可接受的±0....
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11. 一种新型真对数放大器的研究刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 介绍了传统真对数放大器的两种实现方式:双增益真对数放大器、并联求和真对数放大器.对这两种真对数放大器的不足进行了分析,并提出了一种基于连续检波式对数放大器、限幅放大器和乘法器的新型真对数放大...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 针对DC/DC降压型变换器中N型功率管驱动能力不足的问题,提出了一种集成反馈环路的自举升压驱动电路.采用负反馈调节,实现了驱动电压的精准控制,同时通过片内集成的高压PMOS管代替传统架构的二...
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13. 一种大电流LDO稳压器的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 设计了一种最大输出电流为3A的LDO电路.通过优化误差放大器,并采用两个NMOS管作为调整管,增强了电路上拉和下拉负载电流的能力.采用20 μF的陶瓷电容,保证电路具有足够快的负载瞬态响应,...
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14. 一种低功耗无片外电容LDO的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一款输入电压为1.8V、输出电压为1.6V的低功耗无片外电容低压差线性稳压器(LDO),其静态电流仅为5μA.该电路采用一种新型摆率增强电路...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 设计了一款适用于高压电源芯片的无片外电容快速瞬态响应型自启动低压差线性稳压器(LDO).该LDO与芯片内部基准电路形成自供电自偏置环路,节省了芯片面积,适用电压范围为3.6～16.0 V,输...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 为满足SoC系统负载快速变化的要求,提出了一种新型摆率增强型片上LDO系统.通过增加有效的内部检测电路,使LDO的功率管栅极电压可以快速地响应输出负载跳变,提高电路响应速度.采用中芯国际40...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 为了改善传统CTLE均衡器的均衡能力较低、使用大电容造成版图面积较大等缺点,设计了一款采用多级并联反馈网络的新型CTLE均衡器.该均衡器可用于高速串行通信,其频率补偿点以及补偿强度可调,能正...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 在多标准系统应用中,由于线性度和噪声的要求,使得混频器的设计难度很大.采用2次谐波注入结构的3阶失真抵消技术,设计了一种改善跨导级线性度的高线性CMOS混频器.在混频器开关级处引入LC滤波电...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 设计了一种工作在2.4 GHz的CMOS高电压整流器.采用四级NMOS二极管连接的电荷泵结构,从器件选型、尺寸、负载阻抗等方面,对整流器进行优化设计,提高了输出电压与功率转换效率.另外,在实...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 采用TSMC 0.18 μm混合CMOS工艺,设计了一种应用在1.571 GHz GNSS接收机中低杂散锁相环的鉴频鉴相器与电荷泵电路.鉴频鉴相器采用两相非重叠时钟结构和延时可控电路,实现了...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 针对目前超低功耗温度传感器误差大的问题,运用由精确比例电流源偏置的寄生衬底PNP晶体管,采用0.18 μm混合信号工艺设计了一种可集成于无源RFID标签的新型高精度温度传感器.传感器核心电路...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款D波段的并行微带线90°相位反相器,它由一个180°核心反相器和带有两个并列双地槽的平行微带线构成.采用两侧带有并列双地槽的平行微带...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 提出了一种具有良好抑制输入数据抖动性能的突发模式相位插值型时钟数据恢复电路.在传统相位插值型电路结构的基础上,在采样保持电路与相位插值电路之间加入一级求和电路,理论分析和仿真结果表明,恢复时...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 完成挂载在AHB上对DDR2 SDRAM进行操作的DDR2控制器IP模块的设计,并通过了相关的读写测试.利用Altera的Qsys平台,将得到的DDR2控制器IP挂载到NiosⅡ上,搭建So...
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25. 开关电源技术发展综述刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 随着电力电子技术的迅速发展,高频开关电源已被广泛应用于计算机、通信、工业自动化和航天航空等领域.从硬开关技术、软开关技术、同步整流技术、数字控制技术、复合结构技术等开关电源的五个技术发展阶段...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 对目前基于软错误屏蔽、施密特触发及双互锁单元结构的几种单粒子翻转加固锁存器进行分析,并从面积、延时、功耗和抗单粒子翻转能力等方面进行综合比较.着重剖析了DICE结构的多节点翻转特性,研究了敏...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 在SRAM抗辐射加固设计中,纠错编码(Error Correcting Code,ECC)是一种解决空间环境中SRAM单粒子翻转效应的有效方法.但目前国内外对于基于ECC加固的SRAM可靠性...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 提出了一种具有超低比导通电阻的L型栅漏极LDMOS器件.该器件在两个氧化槽中分别制作L型多晶硅槽栅.漏极n型重掺杂区向下延伸,与衬底表面重掺杂的n型埋层相接形成L型漏极.L型栅极不仅可以降低...
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29. 一种新型硅基恒流二极管的特性研究刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 提出了一种新型硅基环状分布垂直沟道恒流二极管,包括并联的结型场效应晶体管和PIN整流管.建立了器件的数值模型,并利用SILVACO TCAD仿真工具对器件的恒定电流值、击穿电压等特征参数进行...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2016年2期页码:摘要： 研究了不同栅电流和负载类型的沟槽注入结构SiC BMFET的开关特性.仿真结果表明,栅区注入的少子集中分布在沟道区域,可以有效提升沟道区域的电导率,也有利于器件的快速开关.当栅电流为10 A...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
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| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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