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摘要:
对目前基于软错误屏蔽、施密特触发及双互锁单元结构的几种单粒子翻转加固锁存器进行分析,并从面积、延时、功耗和抗单粒子翻转能力等方面进行综合比较.着重剖析了DICE结构的多节点翻转特性,研究了敏感节点隔离对抗单粒子翻转能力的影响,设计了测试芯片,并进行了辐照试验验证.辐照试验结果表明,相比于其他加固锁存器结构,DICE结构的单粒子翻转阈值最高,翻转截面最低,功耗延时积最小.当敏感节点隔离间距由0.21 μm增大到2 μm时,DICE结构的单粒子翻转阈值增大157%,翻转截面减小40%,面积增大1倍.在DICE结构中使用敏感节点隔离可有效提高抗单粒子翻转能力,但在具体的设计加固中,需要在抗辐照能力、面积、延时和功耗之间进行折中考虑.
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文献信息
篇名 单粒子翻转加固锁存器分析与辐照试验验证
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 辐照效应 单粒子翻转 锁存器 辐照设计加固 双互锁结构
年,卷(期) 2016,(2) 所属期刊栏目 产品与可靠性
研究方向 页码范围 261-266
页数 分类号 TN432
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨海钢 中国科学院电子学研究所可编程芯片与系统实验室 134 485 10.0 15.0
2 蔡刚 中国科学院电子学研究所可编程芯片与系统实验室 13 35 4.0 5.0
3 李天文 中国科学院电子学研究所可编程芯片与系统实验室 8 19 3.0 4.0
7 李悦 中国科学院电子学研究所可编程芯片与系统实验室 18 43 4.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
辐照效应
单粒子翻转
锁存器
辐照设计加固
双互锁结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
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21140
论文1v1指导