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微电子学2021年出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 设计了一种Buck-Boost负压关断电平产生电路.通过引入动态调整关断时间的计时模块、分段电流限模块和纹波高速检测模块,实现了在耗尽型GaN器件快速开关时稳定栅极负压的供给,有效消除了耗尽...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 通过短路-开路-负载-直通(SOLT)校准原理与MEMS开关结合,设计了一种小型化多功能电子校准件.仿真结果表明,在0.1～20 GHz频段内,该电子校准件的双端口校准仅需2步;直通状态插入...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 传统VGA线性度较低,不适用于生物医学应用.文章分析了基于可编程跨导器的传统结构,得出环路增益和失真的关系,并基于此采用增益提升技术提高环路增益,设计了一种新型的基于可编程跨导器的VGA,提...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种线性化电荷泵电路,并对线性化电荷泵原理进行了分析.基于采样保持原理的充放电电路,配合特定时序逻辑电路,实现了较优的电荷泵线性化和锁相...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 分析了开关电源瞬态负载的基本原理、输出电压跌落幅度与电源环路之间的相互关系,比较了减小输出电压跌落幅度的几种控制方式,提出了采用数字非线性控制方式提升瞬态负载响应的方法.基于以上分析,全面评...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 根据整机小型化需求,设计了一种数字光收发微系统.以系统级封装技术为基础,采用管壳与基板一体化陶瓷针栅阵列封装,对光收发系统所需的各类集成电路裸芯片、光器件和阻容等无源元件进行高密度集成.通过...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 提出了一种应用于低场核磁共振的采用混合信号传输的读出电路.该读出电路系统主要由前端放大器、接收机与后端模数转换器组成.提出的混合信号传输技术的本质在于利用相位域与电压域的混合模式检测,以及放...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 采用标准0.18 μm CMOS工艺,设计了一种可以同时高效收集压电、光电、热电、射频能量的多源能量收集芯片.该收集芯片由多种能源接口电路、可重构电荷泵和自适应控制电路等单元构成.可重构电荷...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 针对MEMS单刀多掷(SPMT)开关插入损耗及隔离度较差的问题,设计了一种基于雪花型功分器的单刀五掷(SP5T)MEMS开关,通过雪花型功分器实现信号的均衡分配和低损耗传输.通过设计H形上电...
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100. 一种迟滞结构的高精度USB-PD驱动芯片刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 为了解决PD驱动电路的可靠性问题,在传统电路基础上设计并实现了一种迟滞结构的高精度PD驱动电路.采用对称双路结构,分别调节信号的上升、下降边沿时间,每一路使用迟滞导通的分段控制方式,提高了控...
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101. 用于单光子TOF测量的时间-幅度变换器刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 基于新型共源共栅电流源的积分方法,设计了一种用于单光子飞行时间(TOF)测量的时间-幅度变换器(TAC).该方法有效简化了 TAC电路结构,减小了 TAC占用面积,显著提高了TOF的满量程范...
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102. 一种多电压高能效近似DCT设计刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 设计了一种基于多电压的高能效近似DCT电路.通过对DCT的运算单元和系数进行近似处理,以精简电路规模的方式降低了 DCT单次运算能耗.为了进一步提升近似DCT电路的相比能效,部分单元低压供电...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 针对3 nm环栅场效应晶体管,提出了一种射频小信号等效电路模型及基于有理函数拟合的解析模型参数提取方法.首先,在关态条件下提取不受偏置影响的非本征栅/源/漏极电阻、栅到源/漏电容、衬底电容和...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 近年来,科研人员为研究忆阻器的电气特性及其在电路中的应用,建立了多种整数阶忆阻器的Verilog-A模型,但分数阶忆阻器的Verilog-A模型还未见报道.文章提出了一种分数阶忆阻器的Ver...
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105. 薄膜型声表面波器件的研究进展刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 相较于传统的压电单晶声表面波器件,薄膜型声表面波器件具有成本低、易小型化、易集成化等优点.文章对几种薄膜型声表面波器件的研究进展进行了综述.首先,总结了几种常见的薄膜制备方法.然后,根据应用...
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106. 28 nm超薄体FD-SOI高温特性研究刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 研究了低阈值电压(LVT)结构的28 nm超薄体全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)MOSFET的高温下特性.在300℃下对器件进行测试,将FD-SOI与部分耗尽(PD)SOI进行参数对比.结合...
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107. 应用于三维IC的积累型NMOS变容二极管刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 基于TSV技术,提出了一种应用于三维集成电路的积累型NMOS变容二极管.通过与传统积累型NMOS变容二极管对比,证明了基于TSV的积累型NMOS变容二极管具有电容密度大、集成度高的优点.分析...
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108. 一种静电保护用低触发电压PMTSCR器件刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 提出了一种用于静电放电(ESD)保护的PMOS器件触发SCR器件(PMTSCR).PMTSCR器件的开启由寄生PMOS的沟道长度、SCR器件寄生阱电阻RPW和RNW决定.器件具有触发电压低的...
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109. 铜互连结构热应力分析及介电材料选择优化刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 基于Ansys有限元软件,采用三级子模型技术对多层铜互连结构芯片进行了三维建模.研究了 10层铜互连结构总体互连线介电材料的弹性模量和热膨胀系数对铜互连结构热应力的影响,在此基础上对总体互连...
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110. 对称矩形环栅NMOS器件的建模与验证刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 介绍了一种对称矩形环栅NMOS器件结构,并对其等效宽长比的计算模型和总剂量效应加固性能进行了研究.通过区域划分、保角变换等方法,对该对称矩形环栅NMOS器件进行建模,给出了其等效宽长比的计算...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 在静电放电(ESD)能力考核时,一种多电源域专用数字电路在人体模型(HBM)1 700 V时失效.通过HBM测试、激光束电阻异常侦测(OBIRCH)失效分析方法,定位出静电试验后失效位置.根...
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112. 基于SEM电压衬度的缺陷定位方法研究刊名： 微电子学发表期刊： 2021年4期页码:摘要： 光发射显微分析、光致电阻变化技术两种电失效定位方法在精确定位缺陷上存在局限性,为此提出了基于SEM电压衬度的联用方法用于精确定位集成电路缺陷.首先根据电特性测试进行光发射显微分析或者光致电阻...
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113. 模拟电子技术发展的新趋势刊名： 微电子学发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 半导体科技是未来信息和通信技术发展的主要推动力,模拟电子技术是半导体科技的不可或缺的组成部分.文章阐述了受未来信息系统更大处理能力、更高传输能力、更低延时感知等需求的拉动,模拟电子技术在智能...
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114. GaN数字功率放大器技术进展刊名： 微电子学发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 峰均比的持续增大使得无线通讯终端需要更高功率、更高效率、更高频率的功率放大器,而现有模拟功放作为基站全数字化最后一道屏障,其效率和输出功率不足以满足现在无线通讯的需求.GaN数字功率放大器作...
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115. 核心元器件自主定义分类及关键技术研究刊名： 微电子学发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 通过分析我国核心元器件长期"跟仿"存在的问题,提出自主定义元器件的概念,给出了核心元器件自主定义的分类方法.并结合元器件自主定义分类,给出了实施途径及关键技术,分析了不同等级核心元器件自主定...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 设计了一种8位2.16 GS/s四通道、时间交织逐次逼近型模数转换器(TI-SAR ADC).单通道SAR ADC采用数据环、异步时钟环的双环结构实现高速工作.采用带复位开关的动态比较器缩短...
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117. 一种新颖的无运放高性能带隙基准设计刊名： 微电子学发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 基于180 nm BCD工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种新型的无运放高性能带隙基准电压源.该带隙基准通过共源共栅电流镜技术和负反馈网络来调节参考电压,消除了运放失调电压的不利影响...
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118. 一种双波段可重构功率放大器仿真设计刊名： 微电子学发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 可重构输入匹配采用一种基于L型的电路结构,通过一个单刀单掷开关电路使该结构接入一段微带线,实现不同工作频率下输入阻抗的自动补偿.输出匹配实现并发双频段工作,在早期三段式微带线的基础上重新进行...
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119. 应用于高速SAR ADC的高能效开关方案刊名： 微电子学发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 介绍了一种应用于高速逐次逼近型模数转换器的新型高能效电容开关方案.基于2bit/cycle结构,采用两个分裂电容阵列作为数模转换器.通过单边充电操作,在减小电容阵列动态功耗和总面积的同时,提...
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120. 一种高增益高功耗效率全差分运算跨导放大器刊名： 微电子学发表期刊： 2021年6期页码:摘要： 基于一种新型低压降、高输出电阻镜像电流源,设计了一种高增益、高功耗效率全差分运算跨导放大器(OTA).该OTA基于0.18 μm CMOS工艺设计,电源电压为1.8V.在保证1.8VPP差分...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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