微纳电子技术期刊
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
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  • 作者: 白春礼
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年1期
    页码:  1-3,11
    摘要: 对纳米科技的实质涵义进行了分析,并对纳米时代何时到来进行了详尽的讨论.指出尽管迈向纳米时代还有很长的路,但目前纳米科技多多少少已与市场和社会联系起来了,并已影响到我们的日常生活,所以我们要全...
  • 作者: 王启明 王迅 甘子钊 郑厚植 陈良惠 黄昆
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年1期
    页码:  4-5
    摘要: 着重强调了纳米技术研究在量子物理领域中的重要性;建议不仅应该重视在较短的时间内就可以容易地产生影响的应用领域的研究,而且应该对基础理论研究给予更大的重视,因为基础研究通常能够带来理论和基本原...
  • 作者: 刘玉岭 张楷亮 王芳
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年1期
    页码:  6-11
    摘要: 简要回顾了半导体电子器件由真空电子管到固体晶体管,直至纳米电子器件的发展历程.分别比较了不同的半导体电子器件的材料、理论和所采用的制备技术.在此基础上综述了当前较热门的纳米电子学和固态纳米电...
  • 作者: 叶志镇 李嘉炜 李蓓 邵庆辉 黄靖云
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年1期
    页码:  12-14
    摘要: 采用热壁外延的方法在硅衬底上生长出n-GaN晶体,制成了Ti/Al双层电极的欧姆接触.通过对不同退火条件下的I-V特性曲线、X射线衍射及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对该接触的影响,并...
  • 作者: 宋亚勤 张元冲 王秋军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年1期
    页码:  15-18,29
    摘要: 从双曲两步热传导模型出发,运用数值差分法求解了微尺度条件下热传递问题.利用特征值法对耦合的能量方程解耦,得到一组控制薄膜中的热波传播的特征方程,对特征方程组运用Godunov格式进行离散得到...
  • 作者: 李东风
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年1期
    页码:  19-24
    摘要: 采用氧化-共沉淀相转化法低温液相合成了具有尖晶石结构的软磁铁氧体粉体材料铁酸锰.研究了非晶态δ-FeOOH的形成、反应物的加料方式、共沉淀的pH值对铁酸锰制备及性质的影响,并得到了最佳生成条...
  • 作者: 夏善红 邓凯
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年1期
    页码:  25-29
    摘要: 自组装技术起源于生物化学领域.20世纪90年代以来,这种新型的装配技术得到了关注并且经历了较快的发展,同时在微机电系统(MEMS)等研究领域显示了潜在的应用前景.本文阐述了自组装技术的发展,...
  • 作者: 吴一辉 鞠挥
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年1期
    页码:  30-37
    摘要: 随着MEMS、微光学等微制造技术的发展,光谱仪器的微型化成为可能,光谱仪的微型化是光谱仪器的一个重要发展方向.本文根据国内外正在进行的微型光谱仪的研制工作,对微型光谱仪的发展进行了比较全面的...
  • 作者: 付小芳 刘业异 罗正全 马平
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年1期
    页码:  38-40
    摘要: 介绍了生物芯片、激光共聚焦生物芯片扫描仪的概念以及高精度快速扫描台的意义,主要介绍对扫描台的运动进行闭环控制的原理和以DSP作为处理器实现这一控制系统的软硬件设计结果.
  • 作者: 何杰
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年1期
    页码:  41-45
    摘要: 简单介绍了国家自然科学基金重大研究计划--半导体集成化芯片系统基础研究的立项背景、2002年受理申请和评审概况,以及2003年申请指南.
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年1期
    页码:  46
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年1期
    页码:  47-48
    摘要:
  • 作者: 张万生 赵彦军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年2期
    页码:  1-5
    摘要: 以GaN为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础,是信息产业前进的发动机,同时有可能改变人类照明光源的技术现状.本文对GaN固体光源的起源和发展做了回顾和展望,并给出...
  • 作者: 叶志镇 顾星
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年2期
    页码:  6-9
    摘要: Ⅲ族氮化物是近年来半导体发光器件研究领域中的热点.由于InN,GaN,AlN及由其组成的连续变化固溶体合金所构成的半导体微结构材料,具有宽禁带宽电子漂移饱和速度高、介电常数小及导热性能好等特...
  • 作者: 叶志镇 李蓓 邵庆辉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年2期
    页码:  10-13,16
    摘要: 由于AlGaN具有高的击穿电场(3 MV/cm,是GaAs的7.5倍),且在AlGaN/GaN异质结处存在高浓度的极化诱导二维电子气,AlGaN基高电子迁移率晶体管是目前最适合应用于微波大功...
  • 作者: 叶小玲 孟宪权 张子旸 徐波 曲胜春 李成明 王占国 金鹏
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年2期
    页码:  14-16
    摘要: 系统研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响;发现InAs量子点的基态发光峰位、半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In...
  • 作者: 孙海波 李玉国 王强 石礼伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年2期
    页码:  17-22
    摘要: 碳化硅作为一种优秀的微电子材料,在高频、高温、大功率、强辐射环境中颇具应用潜力.然而由于其间接带隙的特点,碳化硅LED不能像氮化镓、磷化镓LED那样有效发光,因此人们竞相研究能提高碳化硅发光...
  • 作者: 田文超 贾建援
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年2期
    页码:  23-26
    摘要: 针对微加速度计摆片废品率高的问题,从摆片的加工工艺,分析了PWM数字微加速度计温度应力对摆片刚度的影响;发现当摆片工作在不同状态,在某些加工温差段,摆片的刚度出现奇异值,摆片变形已不再满足小...
  • 作者: 崔舒宁 张元冲 高海昌
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年2期
    页码:  27-33
    摘要: 在微纳米尺寸的智能结构中,电致伸缩(PMN-PT)/压电(PZT)材料有着广泛的应用前景[1,2].本文基于哈密顿变分原理,得到PMN-PT/PZT微尺度梁的智能结构系统运动方程的弱形式.采...
  • 作者: 徐永勋 李惠军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年2期
    页码:  34-38
    摘要: 介绍了TSUPREM-4集成电路工艺仿真系统的主要仿真功能及系统的深亚微米模型.以LDD结构的NMOS器件为例进行了二维工艺仿真,得到了NMOS器件的二维剖面结构、杂质浓度的等值分布描述以及...
  • 作者: 刘玉贵 江泽流 王维军 罗四维
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年2期
    页码:  39-41
    摘要: 介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年2期
    页码:  42-43
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年2期
    页码:  43-44
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年2期
    页码:  44-45
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年2期
    页码:  45-47
    摘要:
  • 作者: 翁寿松
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年3期
    页码:  1-7
    摘要: 美国与日本在微米半导体和纳米半导体领域的竞争由来已久.1986~1992年日本在微米半导体方面领先于美国,尤其在DRAM领域,NEC、东芝和日立成为世界最强的前三名半导体公司,日本成为世界头...
  • 作者: 张晓娟 邱凯 陈建炉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年3期
    页码:  8-10,28
    摘要: 设计并生长了带有复合沟道的InP基HEMT材料,该材料具有较高的二维电子气浓度和迁移率.在使用InxGa1-xAs/In0.53Ga0.47As复合沟道时,当In组分等于0.7时得到较好的沟...
  • 作者: 刘峰奇 孟宪权 张子旸 张存洲 徐波 李乙钢 李成明 潘士宏 王占国 金鹏
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年3期
    页码:  11-13,32
    摘要: 利用光调制反射谱(PR)对1.55 μm应变层InGaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡.利用Bastard包络函数方法和Kane模型从...
  • 作者: 林玉龙 贾振斌 魏雨
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年3期
    页码:  14-18,22
    摘要: 纳米二氧化钛因其化学性质稳定、难溶、无毒、无迁移性、成本低廉且具有光敏、气敏、压敏等特性,从而在电子陶瓷、半导体、催化剂、护肤品、效应颜料和传感材料等领域有着重要的应用.本文较深入地分析了溶...
  • 作者: S.F.Y.Li 叶建辉 吴孙桃 李静
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2003年3期
    页码:  19-22
    摘要: 随着半导体工艺集成度的不断提高及微纳米技术的发展,半导体硅材料的湿法腐蚀及腐蚀后硅表面的平整度及洁净度对半导体器件的影响越来越重要,有关此方面的研究也日益受到重视.本文利用扫描隧道显微镜(S...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

微纳电子技术统计分析

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