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微纳电子技术2009年第7期出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 详细介绍了在SiO2和高kHfO2介质层上制备并五苯薄膜晶体管方面的研究,特别是利用原子力显微技术(AFM)和静电力显微技术(EFM)研究了并五苯分子初始生长模式,揭示了衬底形貌、表面化学性...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 利用TCAD软件模拟分析了ITO/p-a-Si:H/I-a-Si:H/n-a-Si:H结构的非晶硅太阳电池的J-V特性,研究了不同缺陷分布模型对太阳电池光电特性的影响.利用一种较精确的陷阱模...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试.器件光敏面面积为300μm×300×m,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 针对高速大功率半导体激光器,设计了主振激光器与半导体光放大器分立集成的高速大功率半导体激光器组件,并对其中半导体光放大器(SOA)的光纤耦合技术进行了研究,采用单模光纤耦合技术以及光路可逆原...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延(MBE)技术和S-K应变自组装模式,在GaAS(100)衬底上研究生长了三种InAs量子点.采用MBE配备的RHEED确定了工艺...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 阐述了壁面剪应力测量原理及其需求.以Ni为热敏材料、聚酰亚胺为衬底,采用MEMS微加工工艺制作了一种用于近壁传热及流动参数分布测量的全柔性热敏传感器阵列.该传感器阵列的尺寸微小、集成度高、柔...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 在多丝正比室(MWPC)受到严重挑战的形势下,微网气体探测器(micromegas)以其响应时间快、计数能力高的优势而从各种新型的气体探测器中脱颖而出.本文介绍了利用两种方法制作微网气体探测...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 采用Bosch技术研究了在Si深槽刻蚀中刻蚀/钝化比、刻蚀阶段钝化气体保护时间、刻蚀和钝化工艺重叠时间等工艺参数对刻蚀结果的影响.通过不同工艺条件的试验,发现刻蚀钝化比是影响侧壁结构的主要因...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 为适应扫描电化学显微镜(SECM)常规应用中100 nm左右的微定位精度需求,同时降低其微定位控制器的成本,在分析SECM压电工作台运动定位数学模型的基础上,结合SECM实际应用中的特点,将...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 在4H-SiC外延材料上制备了SBD和JBS器件,研究并分析了退火温度对这两种器件正反向特性的影响.结果表明,低于350℃退火可同时提高SBD和JBS的正反向特性.当退火温度高于350℃时,...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 主要介绍了C波段高增益低噪声单片放大器的设计方法和电路研制结果.电路设计基于Agilent ADS微波设计环境,采用GaAs PHEMT工艺技术实现.为了消除C波段低噪声放大器设计中在低频端...
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13. InP DHBT技术的最新进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 阐述了目前InP DHBT器件技术的研究进展,介绍了Ⅰ型InP/InGaAS DHBT技术的研究水平和Ⅱ型InP/GaAsSb DHBT技术的开发现状.综述了InP DHBT在功率放大器、分...
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14. 国际视点刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要：
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
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| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
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