4H-SiC SBD和JBS退火研究

• 作者: 彭明明 杨霏 潘宏菽 闫锐 陈昊
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC肖特基势垒二极管 4H-SiC结势垒肖特基 退火 正向特性 反向特性
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 433-436
• 页数: 4页
• 分类号: TN311|TN304.24
• 字数: 1941字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.07.010

摘要

在4H-SiC外延材料上制备了SBD和JBS器件,研究并分析了退火温度对这两种器件正反向特性的影响.结果表明,低于350℃退火可同时提高SBD和JBS的正反向特性.当退火温度高于350℃时,二者的正向特性都出现退化,SBD退化较JBS更为严重.JBS阻断电压随退火温度升高而增大,在退火温度高于450℃时增加趋势变缓.SBD阻断电压随退火温度升高先升后降,在500℃退火时达到一个最大值.可见一定程度的退火有助于提高4H-SiC SBD和JBS器件的正反向特性,但须考虑其对正反向特性的不同影响.综合而言,退火优化后JBS优于SBD器件性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘宏菽		8	21	2.0	4.0
2	闫锐		3	15	3.0	3.0
3	杨霏		2	11	2.0	2.0
4	陈昊		2	10	1.0	2.0
5	彭明明		1	9	1.0	1.0