InAs/GaAs系列量子点研究

• 作者: 卜夏正 商耀辉 武一宾 牛晨亮 王建峰
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 自组装量子点 垂直耦合量子点 阱内量子点 柱状岛量子点 S-K模式 分子束外延 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 410-413
• 页数: 4页
• 分类号: O471.1
• 字数: 2435字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.07.005

摘要

为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延(MBE)技术和S-K应变自组装模式,在GaAS(100)衬底上研究生长了三种InAs量子点.采用MBE配备的RHEED确定了工艺参数:As压维持在1.33×10-5Pa;InAS量子点和In0.2Ga0.8As的生长温度为500℃;565℃生长50 nm GaAs覆盖层.生长了垂直耦合量子点(InAs 1.8 ML/GaAs 5 nm/InAs 1.8ML)、阱内量子点(In0.2Ga0.8As 5 nm/InAs2.4 ML/In0.2Ga0.8As 5 nm)和柱状岛量子点(InAs分别生长1.9、1.7、1.5 ML,停顿20 S后,生长间隔层GaAs 2 nm).测得对应的室温光致发光(PL)谱峰值波长分别为1.038、1.201、1.087μm,半峰宽为119.6、128.0、72.2 nm、相对发光强度为0.034、0.153、0.29.根据PL谱的峰位、半峰宽和相对发光强与量子点波长、均匀性和发光效率的对应关系,可知量子点波长有不同程度的增加、均匀性越来越好、发光效率显著增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武一宾	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	39	4.0	4.0
2	商耀辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	14	20	2.0	2.0
3	牛晨亮	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	6	2.0	2.0
4	王建峰	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	11	2.0	2.0
5	卜夏正	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	3	1.0	1.0