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真空电子技术2002年出版文献
出版文献量（篇）
2372
总下载数（次）
7
总被引数（次）
8712
真空电子技术
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Vacuum Electronics
影响因子
0.1767
本刊1959年创刊，现为双月刊，国内外公开发行。是真空电子专业协会会刊，电真空情报网网刊，中国真空电子技术领域唯一的综合技术类刊物。设有专家论坛、研究报告、研究与设计、新技术、技术交流、工艺与应用、综述等栏目。主要刊登的是真空微波器件、离子器件真空开关器件等真空电子器件；CPT、CDT、PDP等显示器件和光电器件；照明光源；真空获得、测量、控制；气体分析；表面技术；电子材料及特殊工艺等方面的...
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主办单位：
北京真空电子技术研究所
期刊荣誉：
编辑质量奖
ISSN：
1002-8935
CN：
11-2485/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
100015
地址：
出版文献量（篇）
2372
总下载数（次）
7
总被引数（次）
8712
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 讨论了由国内外3个不同来源的六硼化镧 (LaB6)制成的阴极的发射性能,用标号1#,2#,3#表示,其中1#是LaB6单晶阴极,2#,3#分别是国外和国产的多晶阴极.实验主要测试了它们的发射...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 用分子动力学理论对单壁碳纳米管的机械性质进行了计算和分析.通过对直径为1.2 nm,长度为4.7 nm的拓扑结构为扶手椅形式的单壁碳纳米管进行分子动力学计算,得出其杨氏模量为3.62 TPa...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 将为HT-7U装置第一壁研制的一种新型掺杂石墨及其SiC厚膜梯度涂层材料放在自行设计的一种真空性能评价装置的样品室,通过程序升温和控温,出气率实验分别在室温、300 ℃和 350 ℃ 3种温...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 以静电学基本原理、场致发射原理为基础,用有限元法在求得圆锥形、楔形阴极真空微电子三极管内静电场各点场强的前提下,考虑以往计算中忽略的各电极之间、栅极厚度对器件电容的影响进行极间电容的计算.通...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 主要介绍以半导体器件为制冷源的新型全无氟绿色食品冰箱.它具有冷冻和冷藏功能,其特点是制冷源采用半导体制冷器件的原理(帕尔帖效应).同时对冷藏室抽真空,具有换气、除臭、食品保鲜及真空预冷等多项...
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6. 升高模式扫描电容显微镜刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 分析了升高模式扫描电容显微镜(LM-SCM)的工作原理,得出了像的对比度正比于样品表面电容梯度分布,且在一定针尖-样品模型下,也可得到样品表面的电容分布.利用LM-SCM研究了金电极的表面电...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年1期页码:摘要：
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 对等离子体填充耦合腔行波管、Pasotron和等离子体填充的螺旋线行波管等的国内外研究工作做了简要的评述,并对其应用前景和进一步的研究方向作了展望.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 将薄膜材料应用于光源和器具中提高了效率,改善了特性,从而加速了绿色照明的进程.本文主要介绍了用于高效节能光源和器具中的主要薄膜材料,如红外反射膜、选择性透射膜、保护膜、透射导电膜及光触媒材料...
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10. 厚度对a-Si∶H薄膜性能的影响刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 用等离子体增强化学气相沉积法在最佳工艺参数下在硼玻璃基片上沉积了厚度为1 μm以下的不同厚度的a-Si∶H薄膜.测量了薄膜厚度对它的光电性质的影响.结果表明,当膜厚增加时,a-Si∶H薄膜暗...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 简述了HL-2A装置真空室及其结构特点,介绍了真空室的预装、抽空及检漏.真空室进行预装后可为HL-2A装置的正式安装提供合格的关键部件.
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12. 大屏幕彩色显像管光点像散分析刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 大屏幕彩色显像管电子枪通常采用非轴对称四极透镜,其目的是形成一定正像散的着屏光点以抵消偏转磁场产生的负像散.理想情况是着屏光点在任何工作电流下都具有一定正像散.对几种典型大屏幕彩色显像管电子...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 电弧重熔法是提高真空开关触头材料性能的一种先进工艺方法,触头材料的性质决定于电弧与触头材料间的作用.
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14. 着屏仪使用中易产生的误差解析刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 对着屏仪的测量原理进行剖析,找出产生误差的原因和正确的测量方法.
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15. 投射灯的照度测量及合格品判别刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年1期页码:摘要： 分析了投射灯照度测量误差的原因,提出了测量新思路.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年1期页码:摘要：
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 磁性多层膜常用磁控溅射的方法制备,并且以金属Ta做为缓冲层.本研究利用这种方法在单晶硅基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜.采用X射线光电子能谱(XPS)对该薄膜进行了深度剖析,并且对获得的...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 高精度高性能的光学薄膜膜厚监控系统是制备密集波分复用滤光片的关键,本文提出了一种非1/4波长膜系监控膜厚的方法,该方法所采用的系统具有稳定性好、波长分辨率高等优点.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 强流电子束系统里,一般不能直接进行解析或数值分析计算其电磁场、电子轨迹和电子束的性能,而采用迭代法计算其自洽的空间电荷场,在考虑电子发射的热初速时,有关的数值计算方法也非常复杂.本文利用旋转...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 以锌条为溅射靶、普通空气为溅射和反应气体,采用简单的离子溅射仪在玻璃衬底上用直流二极反应溅射法沉积了高度c轴取向的透明ZnO薄膜.通过扫描电镜、X射线能量色散谱、X射线衍射和椭圆偏振测厚仪等...
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21. 21世纪的技术革命——纳米技术刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 简要阐述了纳米技术的发展与现状,并着重介绍了纳米材料的获得及纳米技术在各领域的特殊应用.
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22. 新世纪照明用白色LED光源刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 介绍发光二极管的技术进展,主要品种及其他照明领域的应用.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 为了解决大面积类金刚石薄膜的均匀性,首先要研究脉冲离子源所镀制的类金刚石薄膜的厚度分布曲线.针对这一目的,做了大量工艺实验,在不同的脉冲离子源电源参数(主回路电压,脉冲频率)、基片高度以及磁...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 为了改进聚焦和适应中屏幕CPT低成本的发展趋势,开发出一种用于64 cm CPT的电子枪,这种电子枪是在现有大屏幕CPT电子枪的基础上开发出来的.由于大屏幕CPT电子枪的会聚帽采用横长孔,使...
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 通过真空蒸发沉积技术在叉指状电极上制备了酞菁铅薄膜气体传感器.实验发现,酞菁铅薄膜对甲醇和丙酮这两种蒸气具有很高的灵敏度.对于甲醇蒸气,酞菁铅薄膜具有很快的响应速度,吸附和脱附时间只要2～3...
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26. 电力机车用真空开关的研究开发刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 真空开关是一种非常适合电力机车使用的开关.本文介绍了研究开发的电力机车用真空开关的技术参数、总体结构及实验结果.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 阐述了15SJ127Y14型示波管的研制、主要性能和应用.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 定容法标准漏孔校准中器壁吸气及规管抽气会产生-(30%～40%)误差.本文提出用氮气清洗器壁以减少其吸放气速率,并以氮气代替空气校准;不扣除本底压强上升速率;规管与校准容器间加装一只阀门以减...
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29. CRT的防眩防静电技术刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 介绍了防眩、防静电技术的必要性以及成膜工艺机理,溶胶-凝胶工艺在CDT,CPT中的应用.
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刊名： 真空电子技术发表期刊： 2002年2期页码:摘要： 介绍了新近推出的几种增加AC-PDP亮度,提高其光效的新技术.
真空电子技术基本信息
| 刊名 | 真空电子技术 | 主编 | 廖复疆 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 北京真空电子技术研究所 | 主管单位 | 工业和信息化部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1002-8935 | CN | 11-2485/TN |
| 邮编 | 100015 | 电子邮箱 | VETECH@163.com |
| 电话 | 010-84352012 | 网址 | |
| 地址 | 北京749信箱7分箱 |
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