真空科学与技术学报1998年第6期出版文献-钛学术文献服务平台

文献导航

检索期刊

出版文献量（篇）

4084

总下载数（次）

总被引数（次）

19905

真空科学与技术学报

投稿

Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

曾用名：真空科学与技术

CA CSCD JST CSTPCD

影响因子 0.3586

本刊是全国中文核心期刊，长期被EI、CA、SA等国际蓍名检索系统收录，已全文上网。本刊通过中国图书贸易总公司代理向国外发行。目前在美国、英国、德国、荷兰及我国的香港与台湾地区均有订阅，有一定的影响力。在国内各高等院校科学院所涉及到真空科学与技术论文都大多数向本刊投稿，已成为国内外关学者发表高水平科研成果的主要载体。

主办单位：

中国真空学会

ISSN：

1672-7126

CN：

11-5177/TB

出版周期：

月刊

邮编：

100022

地址：

北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室

出版文献量（篇）

4084

总下载数（次）

总被引数（次）

19905

文章浏览

热门刊内文献

年度刊次

1. 纳米电子器件

作者：

刊名：真空科学与技术学报

发表期刊： 1998年6期

页码: 395-404

摘要：评述了纳米电子器件的理论及应用意义、研究领域和最新进展.
2. 离子束辅助沉积制备TAN薄膜的X射线衍射分析

作者：

刊名：真空科学与技术学报

发表期刊： 1998年6期

页码: 405-408

摘要：利用离子束辅助沉积技术制备TaN薄膜,并对其进行X射线衍射分析.掠入射的X射线衍射分析得出:离子束辅助沉积制备的TaN薄膜是面心立方结构,晶格常数a为0.4405nm.根据X射线衍射分析,用...
3. MO/SI和MO/B_4C软X射线多层膜的界面热稳定性研究

作者：

刊名：真空科学与技术学报

发表期刊： 1998年6期

页码: 409-414

摘要：用磁控溅射法制备Mo/Si多层膜(周期为25nm,20层)和Mo/B4C多层膜(周期为3.9nm,121层),并在真空中加热30min,温度为200,400,600,800和1000℃.用小...
4. 聚焦离子束系统中微波离子枪的束光学特性研究

作者：

刊名：真空科学与技术学报

发表期刊： 1998年6期

页码: 415-420

摘要：通过实验和数值模拟研究了聚焦离子束系统中微波离子枪的离子束光学特性,该离子枪由微波等离子体源和Orloff-Swason引出透镜组成.该透镜除了广泛用于场致发射离子枪外,在等离子体源情况下,...
5. 同步辐射光子解吸系数测量

作者：

刊名：真空科学与技术学报

发表期刊： 1998年6期

页码: 421-423

摘要：储存环真空系统的性能主要取决于同步辐射引起的气体解吸.光子解吸系数被定义为每个光子解吸的气体分子数,它是储存环真空系统设计的一个重要参数.该文介绍了测量光子解吸系数的实验装置和原理,并对测量...
6. 研究有机功能薄膜光存储的半导体激光装置

作者：

刊名：真空科学与技术学报

发表期刊： 1998年6期

页码: 424-427

摘要：叙述了一种为研究有机功能薄膜光信息存储而设计的半导体激光装置,用该装置研究金属酞菁固态薄膜,发现其有光存储功能.
7. 电子能谱研究生长高质量CEO_2/SI异质结

作者：

刊名：真空科学与技术学报

发表期刊： 1998年6期

页码: 428-435

摘要：用低能双离子束淀积技术,在清洁的Si衬底上外延生长出了CeO2/Si异质结构.利用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱的深度剖析技术对此类样品进行了测量分析.结果表明,样品界面清晰、陡峭,无氧化硅...
8. 基于微扰理论的静电电子透镜的缺陷电场计算

作者：

刊名：真空科学与技术学报

发表期刊： 1998年6期

页码: 436-440

摘要：研究了用于计算电子光学系统的缺陷电场和容差的微扰理论.基于微抗原理,推导了计算静电电子透镜由于电极偏心、倾斜和加工不圆造成的电场变化及其旁轴多极场展开函数的九点有限差分公式,编制了计算软件....
9. 实时测量器件中光学薄膜厚度的新方法研究

作者：

刊名：真空科学与技术学报

发表期刊： 1998年6期

页码: 441-443

摘要：从薄膜光学理论出发,阐述了利用光学反射比实时测量特种器件中光学薄膜厚度的原理,介绍了测试仪器,分析了测试结果.在已知基底的折射率、光学薄膜的折射率、消光系数及入射光波长的情况下,可计算出光学...
10. 正压漏孔的校准方法

作者：

刊名：真空科学与技术学报

发表期刊： 1998年6期

页码: 444-449

摘要：随着吸枪式质谱计检漏法的广泛应用,在有些应用领域中,对正压检漏法的定量性提出了更高的要求.解决正压检漏定量性问题的关键之一,就是要精确地校准正压漏孔.校准正压漏孔的主要方法有:恒压变容法、定...
11. 彩色显像管静会聚漂移问题的研究

作者：

刊名：真空科学与技术学报

发表期刊： 1998年6期

页码: 450-453

摘要：在采用传统精密一字形电子枪的彩色显像管中,若聚焦电压发生变化,静会聚将产生漂移.如果聚焦电压变化700V,那么21英寸彩管将有大约0.3mm的静会聚漂移.由于静会聚漂移值超过荧光粉节距的50...
12. TC4钛合金上离子束辅助沉积TIC_XN_Y膜的微结构与机械性质研究

作者：

刊名：真空科学与技术学报

发表期刊： 1998年6期

页码: 454-458

摘要：利用离子束辅助沉积技术在Tc4钛合金基体上制备了TiCxNy膜.TEM观察揭示膜呈多晶结构,具有(111),(200)和(220)择优取向,AES和XPS分析进一步证实TiCxNy膜呈含氧配...
13. 光子计数成像器件

作者：

刊名：真空科学与技术学报

发表期刊： 1998年6期

页码: 459-464

摘要：论述了光子计数成像器件的基本原理,对多阳极微通道板阵列器件、叠合阳极、楔条形阳极和Si位敏阳极结构的光子计数成像器件分别作了介绍,给出了GDB-601型MCP－PMT的一些实验结果.
14. 灭弧室用磁控真空计的研究

作者：

刊名：真空科学与技术学报

发表期刊： 1998年6期

页码: 465-469

摘要：介绍了同轴场式脉冲磁控真空计的测量原理以及设计中的有关问题.给出了某些真空灭孤室的压强－离子电流曲线.测量结果表明,该磁控计的压强－离子电流曲线为幂指数函数,磁控放电的离子电流与磁场强度无关...
15. 高压强下外延生长的差分RHEED原位监测

作者：

刊名：真空科学与技术学报

发表期刊： 1998年6期

页码: 470-474

摘要：给出了能在较高压强(10(-1)Pa)下进行原位监控生长的差分RHEED系统的设计思想、结构性能等,同时给出了在LMBE技术中实际应用的结果,包括随着氧压强的增加衍射条纹所发生的变化.阐述了...

真空科学与技术学报基本信息

刊名	真空科学与技术学报	主编	吴锦雷
曾用名	真空科学与技术
主办单位	中国真空学会	主管单位	中国科学技术协会
出版周期	月刊	语种	chi
ISSN	1672-7126	CN	11-5177/TB
邮编	100022	电子邮箱	vst@chinesevacuum.com
电话	010-58206280	网址
地址	北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室