电子能谱研究生长高质量CEO_2/SI异质结

• 来源期刊: 真空科学与技术
• 学科: 化学
• 关键词: 双离子束淀积 深度剖析 氧化硅 异质结
• 年，卷（期）: 1998,（6）
• 页码范围: 428-435
• 页数: 8页
• 分类号: O657.6
• 语种: 中文

摘要

用低能双离子束淀积技术,在清洁的Si衬底上外延生长出了CeO2/Si异质结构.利用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱的深度剖析技术对此类样品进行了测量分析.结果表明,样品界面清晰、陡峭,无氧化硅生成,这反映了外延层与Si衬底间过渡区很窄;外延层内组成元素Ce,O分布均匀,为正化学比CeO2相.原生样品经高温退火后,界面出现了氧化硅层,且过渡层增厚.最后讨论了有关影响CeO2/Si外延生长质量的因素,可认为高质量CeO2/Si结构生长的关键主要依赖于生长初期Si衬底表面不受氧化污染.为此,在IBD生长时,采取了一系列技术措施,得到了满意的结果.